1. Introducao
O presente trabalho tem como objectivo o estudo o transístor de efeito de campo de juntura (FET) e o Metal-óxido Semicondutor FET (MOSFET), são exemplos de transístores unipolares, ou seja, o fluxo de corrente acontece somente em um tipo de material (tipo P ou tipo N), denominado canal de condução. Ao contrário dos transístores bipolares, onde a corrente atravessa os dois tipos de materiais, estes tipos de transístores possuem algumas características especiais que melhoram as condições de operação em certas aplicações.
Primeiro dizer que o transístor de junção bipolar, TJB, (bipolar junction transístor, BJT, em inglês), é o tipo de transístor mais comum, devido sua facilidade de polarização e durabilidade. Recebe este nome porque o processo de condução é realizado por dois tipos de carga - positiva (lacunas) e negativa (electrões). Ele foi o primeiro tipo de transístor a ser produzido, e que valeu o Prémio Nobel, aos seus inventores cujo objectivo foi substituir as válvulas termiónicas que consumiam muita energia, tinham muito baixo rendimento, e funcionavam com tensões da ordem das centenas de volts.
Um Transístor Bipolar de Junção consiste em um cristal de silício ou germano no qual existe uma camada do tipo N entre duas camadas de tipo P ou uma camada de tipo P entre duas camadas do tipo N. Deste modo, do ponto de vista da estrutura os TBJs classificam-se em tipo PNP e tipo NPN, desta forma os JFET e MOSFET também operam nesses dois tipos de canal, ou