In this work, the binding energy of hydrogenic impurity in a GaAs/InxGa1-xAs quantum well is calculated as a function of the well width and the impurity position inside the quantum well. The calculations are performed within the effectivemass approximation and using a variational method for different In concentrations (0<x<0.4) in GaAs. We have kept in mind that the confinement potential is modified by the strain due to the differences of the lattice constants between GaAs and the InxGa1-xAs, which is included in the confinement potential as Atanasov suggested, Phys. Rev. B 50,14381 (1994). We have found a very good agreement with experimental results by Reynolds, Phys. Rev. B 43, 11156 (1992).

RESUMEN

En este trabajo, se calculo la energía de enlace de una impureza hidrogenoide en un pozo cuántico de GaAs/InxGa1-xAs como función del ancho del pozo y la posición de la impureza dentro del pozo cuántico. Los cálculos se realizaron teniendo en cuenta la aproximación de la masa efectiva y un m´etodo variacional para diferentes concentraciones de In (0<x<0.4) en GaAs/InxGa1-xAs. Se tuvo en cuenta que el confinamiento es modificado por las tensiones ocasionadas debido a la diferencia en la constante de red entre el el GaAs y el InxGa1-xAs, por lo que se incluyó el potencial de confinamiento sugerido por Atanasov, Phys. Rev. B 50,14381 (1994). Se encontró que los resultados concuerdan con las medidas experimentales hechas por Reynolds, Phys. Rev. B 43, 11156 (1992).

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Victor Manuel Bohórquez Guevara
vic7180550[arroba]hotmail.com

Universidad del Valle - Facultad de Ciencias Naturales y Exactas
Santiago de Cali - Junio de 2006

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