Monografias.com > Sin categoría
Descargar Imprimir Comentar Ver trabajos relacionados

Los transistores y sus aplicaciones (página 2)



Partes: 1, 2

Transistor de efecto de campo, de metal
oxido semiconductor (MOSFET)

Fototransistor

Tipos de transistor

Transistor de punta de contacto. Primer transistor que
obtuvo ganancia, inventado en 1947 por J. Bardeen y
W. Brattain. Consta de una base de germanio sobre la que se
apoyan, muy juntas, dos puntas metálicas que constituyen
el emisor y el colector. La corriente de emisor es
capaz de modular la resistencia que se "ve" en el colector,
de ahí el nombre de "transfer resistor". Se
basa en efectos de superficie, poco conocidos en su día.
Es difícil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano),
frágil (un golpe podía desplazar las puntas) y
ruidoso. Sin embargo convivió con el transistor de
unión (W. Shockley, 1948) debido a su mayor ancho de
banda. En la actualidad ha desaparecido.

Transistor de unión bipolar, BJT por sus siglas
en inglés, se fabrica básicamente sobre un
monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de Galio, que tienen
cualidades de semiconductores, estado intermedio entre
conductores como los metales y los Modelos
posteriores al transistor descrito, el transistor bipolar
(transistores FET, MOSFET, controlada tres zonas,
dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando
formadas dos uniones NP.

La zona N con elementos donantes de electrones (cargas
negativas) y la zona P de aceptadores o "huecos" (cargas
positivas). Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P
al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al
Arsénico (As) o Fósforo (P).

La configuración de uniones PN, dan como
resultado transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia
siempre corresponde a la característica de la base, y las
otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo
y de signo contrario a la base, tienen diferente
contaminación entre ellas (por lo general, el emisor esta
mucho mas contaminado que el colector).

El mecanismo que representa el comportamiento
semiconductor dependerá de dichas contaminaciones, de la
geometría asociada y del tipo de tecnología de
contaminación (difusión gaseosa, epitelial, etc.) y
del comportamiento cuántico de la unión.

Fototransistor, sensible a la
radiación electromagnética, en frecuencias cercanas
a la de la luz.

Transistor de unión
unipolar.

Transistor de efecto de campo, FET, que
controla la corriente en función de una tensión;
tienen alta impedancia de entrada.

o Transistor de efecto de campo de
unión, JFET, construido mediante una unión
PN.

o Transistor de efecto de campo de
compuerta aislada, IGFET, en el que la compuerta se aísla
del canal mediante un dieléctrico.

• Transistor de efecto de campo MOS,
MOSFET, donde MOS significa

Metal-Óxido-Semiconductor, en este
caso la compuerta es metálica y está separada del
canal semiconductor por una capa de óxido.

Transistores y electrónica de
potencia

Con el desarrollo tecnológico y evolución
de la electrónica, la capacidad de los dispositivos
semiconductores para soportar cada vez mayores niveles de
tensión y corriente ha permitido su uso en aplicaciones de
potencia.

El transistor frente a la válvula
termoiónica

Antes de la aparición del transistor los
ingenieros utilizaban elementos activos llamados válvulas
termoiónicas. Las válvulas tienen
características eléctricas similares a la de los
transistores de efecto de campo (FET): la corriente que los
atraviesa depende de la tensión en el borne de comando,
llamado rejilla. Las razones por las que el transistor
reemplazó a la válvula termoiónica son
varias:

Las válvulas termoiónicas
necesitan tensiones muy altas, del orden de las centenas de
voltios, tensiones que son letales para el ser humano.

Las válvulas consumen mucha
energía, lo que las vuelve particularmente poco
útiles para el uso con baterías.

Probablemente, uno de los problemas
más importantes es el peso. El chasis necesario para
alojar las válvulas, los transformadores requeridos para
suministrar la

Los transistores de unión (uno de
los tipos más básicos) tienen 3 terminales llamados
Base, algunas decenas de kilos.

El tiempo medio entre fallas de las
válvulas termoiónicas es muy corto comparado al del
transistor, sobre todo a causa del calor generado.

Además las válvulas
termoiónicas tardan mucho para poder ser utilizadas. Las
vávulas necesitan estar calientes para
funcionar.

Como ejemplo de todos estos inconvenientes se puede
citar a la primera computadora digital, llamada ENIAC. Era un
equipo que pesaba más de treinta toneladas y
consumía 200 kilovatios, suficientes para alimentar una
pequeña ciudad. Tenía alrededor de 18.000
válvulas, de las cuales algunas se quemaban cada
día, necesitando una logística y una
organización importantes.

Los transistores tienen multitud de
aplicaciones
, entre las que se encuentran:
Amplificación de todo tipo (radio, televisión,
instrumentación)

Generación de señal
(osciladores, generadores de ondas, emisión de
radiofrecuencia)

Conmutación, actuando de
interruptores (control de relés, fuentes de
alimentación conmutadas, control de lámparas,
modulación por anchura de impulsos PWM) Detección
de radiación luminosa (fototransistores)

Se usan generalmente en electrónica
analógica y en la electrónica digital como la
tecnología TTL o BICMOS.

Son empleados en conversores
estáticos de potencia, controles para motores y
llaves de alta potencia (principalmente inversores),
aunque su principal uso está basado en la
amplificación de corriente dentro de un circuito
cerrado.

Transistor
bipolar

El transistor de unión bipolar (del
inglés Bipolar Junction Transistor, o sus siglas
BJT fue inventado en 1947) es un dispositivo
electrónico de estado sólido consistente en dos
uniones PN muy cercanas entre sí, que permite controlar el
paso de la corriente a través de sus terminales. El
transistor bipolar está formado por una unión PN y
por otra NP, característica que hace que un semiconductor
de determinado tipo se encuentre entre dos de tipo opuesto al
primero, como se muestra en la figura 1. Lo que se obtiene con
esta configuración es una sección que proporciona
cargas(de huecos o de electrones) que son captadas por otra
sección a través de la sección media. El
electrodo que proporciona las cargas es el emisor y el que las
recoge es el colector. La base es la parte de en medio y forma
las dos uniones, una con el colector y otra con el emisor.
Además, la base controla la corriente en el colector. Este
tipo de transistores recibe el nombre de transistores de
unión.

Monografias.com

Figura 1. Símbolos y diagramas de
polarización para transistores de unión. a-) PNP.
b-) NPN.

De esta manera quedan formadas tres regiones:

Emisor, que se diferencia de las
otras dos por estar fuertemente dopada, comportándose como
un metal.

Base, la intermedia, muy estrecha,
que separa el emisor del colector.

Colector, de extensión mucho
mayor.

Cuando el transistor bipolar, fue considerado una
revolución. Pequeño, rápido, fiable, poco
costoso, sobrio en sus necesidades de energía,
reemplazó progresivamente a la válvula
termoiónica durante la década de 1950, pero no del
todo. En efecto, durante los años 60, algunos fabricantes
siguieron utilizando válvulas termoiónicas en
equipos de radio de gama alta, como Collins y Drake; luego el
transistor desplazó a la válvula de los
transmisores pero no del todo de los amplificadores de
radiofrecuencia. Otros fabricantes, de equipo de audio esta vez,
como Fender, siguieron utilizando válvulas
termoiónicas en amplificadores de audio para
guitarras.

Las razones de la supervivencia de las válvulas
termoiónicas son varias:

El transistor no tiene las características de
linealidad a alta potencia de la válvula
termoiónica, por lo que no pudo reemplazarla en los
amplificadores de transmisión de radio profesionales y de
radioaficionados.

Los armónicos introducidos por la no-linealidad
de las válvulas resultan agradables al oído humano
(véase psicoacústica), por lo que son preferidos
por los audiófilos

El transistor es muy sensible a los efectos
electromagnéticos de las explosiones nucleares, por lo que
se siguieron utilizando válvulas termoiónicas en
algunos sistemas de control-comando de cazas de
fabricación soviética.

La técnica de fabricación más
común es la deposición epitaxial. En su
funcionamiento normal, la unión base-emisor está
polarizada en directa, mientras que la base-colector en inversa.
Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la
base, que por ser muy angosta, hay poca recombinación de
portadores, y la mayoría pasa al colector. El transistor
posee tres estados de operación: estado de corte, estado
de saturación y estado de actividad.

Funcionamiento

En una configuración normal, la unión
emisor-base se polariza en directa y la unión base-
colector en inversa. Debido a la agitación térmica
los portadores de carga del emisor pueden atravesar la barrera de
potencial emisor-base y llegar a la base. A su vez,
prácticamente todos los portadores que llegaron son
impulsados por el campo eléctrico que existe entre la base
y el colector.

Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos
con la región del ánodo compartida. En una
operación típica, la juntura base-emisor
está polarizada en directa y la juntura base-colector
está polarizada en inversa. En un transistor NPN, por
ejemplo, cuando una tensión positiva es aplicada en la
juntura base-emisor, el equilibrio entre los portadores generados
térmicamente y el campo eléctrico repelente de la
región agotada se desbalancea, permitiendo a los
electrones excitados térmicamente inyectarse en la
región de la base. Estos electrones "vagan" a
través de la base, desde la región de alta
concentración cercana al emisor hasta la región de
baja concentración cercana al colector. Estos electrones
en la base son llamados portadores minoritarios debido a que la
base está dopada con material P, los cuales generan
"hoyos" como portadores mayoritarios en la base.

La región de la base en un transistor debe ser
constructivamente delgada, para que los portadores puedan
difundirse a través de esta en mucho menos tiempo que la
vida útil del portador minoritario del semiconductor, para
minimizar el porcentaje de portadores que se recombinan antes de
alcanzar la juntura base-colector. El espesor de la base debe ser
menor al ancho de difusión de los electrones.

Control de tensión, carga y
corriente

La corriente colector-emisor puede ser vista como
controlada por la corriente base-emisor (control de corriente), o
por la tensión base-emisor (control de voltaje). Esto es
debido a la relación tensión-corriente de la
juntura base-emisor, la cual es la curva tensión-corriente
exponencial usual de una juntura PN (es decir, un
diodo).

En el diseño de circuitos analógicos, el
control de corriente es utilizado debido a que es aproximadamente
lineal. Esto significa que la corriente de colector es
aproximadamente 1 veces la corriente de la base. Algunos
circuitos pueden ser diseñados asumiendo que la
tensión base-emisor es aproximadamente constante, y que la
corriente de colector es 1 veces la corriente de la base. No
obstante, para diseñar circuitos utilizando TBJ con
precisión y confiabilidad, se requiere el uso de modelos
matemáticos del transistor como el modelo
Ebers-Moll.

Transistor Bipolar de
Heterounión

El transistor bipolar de heterounión (TBH) es una
mejora del TBJ que puede manejar señales de muy altas
frecuencias, de hasta varios cientos de GHz. Es un dispositivo
muy común hoy en día en circuitos
ultrarrápidos, generalmente en sistemas de
radiofrecuencia.

Los transistores de heterojuntura tienen diferentes
semiconductores para los elementos del transistor. Usualmente el
emisor está compuesto por una banda de material más
larga que la base. Esto ayuda a reducir la inyección de
portadores minoritarios desde la base cuando la juntura
emisor-base está polarizada en directa y esto aumenta la
eficiencia de la inyección del emisor. La inyección
de portadores mejorada en la base permite que esta pueda tener un
mayor nivel de dopaje, lo que resulta en una menor resistencia.
Con un transistor de juntura bipolar convencional, también
conocido como transistor bipolar de homojuntura, la eficiencia de
la inyección de portadores desde el emisor hacia la base
está principalmente determinada por el nivel de dopaje
entre el emisor y la base. Debido a que la base debe estar
ligeramente dopada para permitir una alta eficiencia de
inyección de portadores, su resistencia es relativamente
alta.

Regiones operativas del transistor

Los transistores bipolares de juntura tienen diferentes
regiones operativas, definidas principalmente por la forma en que
son polarizados:

Región activa:

Cuando un transistor no está ni en su
región de saturación ni en la región de
corte entonces está en una región intermedia, la
región activa. En esta región la corriente de
colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base
(Ib), de 1 (ganancia de corriente, es un dato del fabricante) y
de las resistencias que se encuentren conectadas en el colector y
emisor. Esta región es la más importante si lo que
se desea es utilizar el transistor como un amplificador de
señal.

Región inversa:

Al invertir las condiciones de polaridad del
funcionamiento en modo activo, el transistor bipolar entra en
funcionamiento en modo inverso. En este modo, las regiones del
colector y emisor intercambian roles. Debido a que la
mayoría de los TBJ son diseñados para maximizar la
ganancia de corriente en modo activo, el parámetro beta en
modo inverso es drásticamente menor al presente en modo
activo.

Región de corte: Un transistor esta en
corte cuando:

corrientedecolector =
corrientedeemisor = 0,(Ic = Ie =
0)

En este caso el voltaje entre el colector y el emisor
del transistor es el voltaje de alimentación del circuito.
(como no hay corriente circulando, no hay caída de
voltaje, ver Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta
cuando la corriente de base = 0 (Ib =0)

Región de saturación: Un transistor
está saturado cuando:

corrientedecolector =
corrientedeemisor =
corrientemaxima,(Ic = Ie =
Imaxima)

En este caso la magnitud de la corriente depende del
voltaje de alimentación del circuito y de las resistencias
conectadas en el colector o el emisor o en ambos, ver ley
de Ohm. Este caso normalmente se presenta cuando la
corriente de base es lo suficientemente grande como
para inducir una corriente de colector 1 veces más grande.
(recordar que Ic = 1 * Ib)

Transistor de efecto campo

El transistor de efecto campo ield-Effect
Transistor
o FET, en inglés) es en realidad
una familia de transistores que se basan en el campo
eléctrico para controlar la conductividad de un "canal" en
un material semiconductor. Los FET, como todos los transistores,
pueden plantearse como resistencias controladas por
voltaje.

La mayoría de los FET están hechos usando
las técnicas de procesado de semiconductores habituales,
empleando la oblea monocristalina semiconductora como la
región activa o canal. La región activa de los TFTs
(thin-film transistores, o transistores de
película fina), por otra parte, es una película que
se deposita sobre un sustrato (usualmente vidrio, puesto que la
principal aplicación de los TFTs es como pantallas de
cristal líquido o LCDs).

Monografias.com

Los transistores de efecto de campo o FET más
conocidos son los JFET (Junction Field Effect Transistor), MOSFET
(Metal-Oxide-Semiconductor FET) y MISFET (Metal-Insulator-
Semiconductor FET).

Tienen tres terminales, denominadas puerta
(gate), drenador (drain) y fuente
(source). La puerta es el terminal equivalente a la base
del BJT. El transistor de efecto de campo se
comporta como un interruptor controlado por tensión,
donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o
no corriente entre drenador y fuente.

El funcionamiento del transistor de efecto de campo es
distinto al del BJT. En los MOSFET, la puerta no absorbe
corriente en absoluto, frente a los BJT, donde la corriente que
atraviesa la base, pese a ser pequeña en
comparación con la que circula por las otras terminales,
no siempre puede ser despreciada. Los MOSFET, además,
presentan un comportamiento capacitivo muy acusado que hay que
tener en cuenta para el análisis y diseño de
circuitos.

Así como los transistores bipolares se dividen en
NPN y PNP, los de efecto de campo o FET son también de dos
tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la aplicación
de una tensión positiva en la puerta pone al transistor en
estado de conducción o no conducción,
respectivamente. Los transistores de efecto de campo MOS son
usados extensísimamente en electrónica digital, y
son el componente fundamental de los circuitos integrados o
chips digitales.

Historia

Desde 1953 se propuso su fabricación por Van
Nostrand (5 años después de los BJT). Aunque su
fabricación no fue posible hasta mediados de los
años 60's.

Tipo de transistores de efecto campo

El canal de un FET es dopado para producir tanto un
semiconductor tipo N o uno tipo P. El drenador y la fuente deben
estar dopados de manera contraria al canal en el caso de FETs de
modo mejorado, o dopados de manera similar al canal en el caso de
FETs en modo agotamiento. Los transistores de efecto de campo
también son distinguidos por el método de
aislamiento entre el canal y la puerta. Los tipos de FETs son:
Podemos clasificar los transistores de efecto campo según
el método de aislamiento entre el canal y la
puerta:

El MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect
Transistor
) usa un aislante (normalmente
SiO2).

El JFET (Junction Field-Effect Transistor) usa
una unión p-n

El MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect
Transistor
) substituye la unión PN del
JFET con una barrera Schottky.

En el HEMT (High Electron Mobility
Transistor
), también denominado HFET
(heterostructure FET), la banda de material dopada con
"huecos" forma el aislante entre la puerta el cuerpo
del transistor.

Los MODFET (Modulation-Doped Field Effect
Transistor
)

Los IGBT (Insulated-gate bipolar
transistor
) es un dispositivo para control de
potencia.

Son comunmente usados cuando el rango de voltaje
drenaje-fuente está entre los 200 a 3000V. Aún
así los Power MOSFET todavía son los dispositivos
más utilizados en el rango de tensiones drenaje-fuente de
1 a 200V.

Los FREDFET es un FET especializado
diseñado para otorgar una recuperación ultra
rápida del transistor.

Los DNAFET es un tipo especializado de FET que
actúa como biosensor, usando una puerta
fabricada de moléculas de ADN de una cadena para detectar
cadenas de ADN iguales

La característica de los TFT que los distingue,
es que hacen uso del silicio amorfo o del silicio
policristalino.

Características

Tiene una resistencia de entrada
extremadamente alta (casi 100M).

No tiene un voltaje de unión cuando
se utiliza Conmutador (Interruptor). Hasta cierto punto inmune a
la radiación.

Es menos ruidoso.

Puede operarse para proporcionar una mayor
estabilidad térmica.

Precauciones:

Con los transistores FET hay que tener cuidados
especiales, pues algunas referencias se dañan con solo
tocar sus terminales desconentadas (Estática). Por tal
motivo, cuando nuevos traen sus patas en corto-circuito mediante
una espuma conductora eléctrica o con algo
metálico, esto no se debe quitar hasta que esten soldados
en la tableta de circuito impreso, hecho esto ya no hay
problema.

Fototransistor

Monografias.com

Fototransistor

Monografias.com

Diversos tipos de
fototransistores

Se llama fototransistor a un transistor sensible
a la luz, normalmente a los infrarrojos. La luz incide sobre la
región de base, generando portadores en ella. Esta carga
de base lleva el transistor al estado de conducción. El
fototransistor es más sensible que el fotodiodo por el
efecto de ganancia propio del transistor. Los fototransistores no
son muy diferentes de un transistor normal, es decir,
están compuestos por el mismo material semiconductor,
tienen dos junturas y las mismas tres conexiones externas:
colector, base y emisor. Por supuesto, siendo un elemento
sensible a la luz, la primera diferencia evidente es en su
cápsula, que posee una ventana o es totalmente
transparente, para dejar que la luz ingrese hasta las junturas de
la pastilla semiconductora y produzca el efecto
fotoeléctrico.

En el mercado se encuentran fototransistores tanto con
conexión de base como sin ella y tanto en cápsulas
plásticas como metálicas (TO-72, TO-5) provistas de
una lente.

Aplicaciones de los fototransistores.

Se han utilizado en lectores de cinta y tarjetas
perforadas, lápices ópticos, etc. Para
comunicaciones con fibra óptica se prefiere usar
detectores con fotodiodos p-i-n. También se pueden
utilizar en la detección de objetos cercanos cuando forman
parte de un sensor de proximidad. Se utilizan ampliamente
encapsulados conjuntamente con un LED, formando interruptores
ópticos (opto-switch), que detectan la
interrupción del haz de luz por un objeto.

Existen en dos versiones: de transmisión y de
reflexión.

Teniendo las mismas características de un
transistor normal, es podible regular su corriente de colector
por medio de la corriente de base. Y también, dentro de
sus características de elemento optoelectrónico, el
fototransistor conduce más o menos corriente de colector
cuando incide más o menos luz sobre sus
junturas.

Los dos modos de regulación de la corriente de
colector se pueden utilizar en forma simultánea. Si bien
es común que la conexión de base de los
fototransistores no se utilice, e incluso que no se la conecte o
ni siquiera venga de fábrica, a veces se aplica a ella una
corriente que estabiliza el funcionamiento del transistor dentro
de cierta gama deseada, o lo hace un poco más sensible
cuando se debe detectar una luz muy débil. Esta corriente
de estabilización (llamada bias, en inglés) cumple
con las mismas reglas de cualquier transistor, es decir,
tendrá una relación de amplificación
determinada por la ganancia típica de corriente, o hfe. A
esta corriente prefijada se le suman la variaciones producidas
por los cambios en la luz que incide sobre el
fototransistor.

Los fototransistores, al igual que los fotodiodos,
tienen un tiempo de respuesta muy corto, es decir que pueden
responder a variaciones muy rápidas en la luz. Debido a
que existe un factor de amplificación de por medio, el
fototransistor entrega variaciones mucho mayores de corriente
eléctrica en respuesta a las variaciones en la intensidad
de la luz.

Resumen de la
Teoría del Transistor

A vista de esa prueba realizada este dispositivo ha de
tener tres electrodos o bornes, uno por cada uno de los cristales
de que se compone. Al cristal que recibe la corriente, el primero
de los tres, se distingue con el nombre de emisor; el cristal del
centro como base, y al cristal de salida de la corriente,
colector. Entonces, en un transistor de tipo NPN, la primera N
será el emisor, P será la base, y la otra N, el
colector. Estos nombres se suelen abreviar con las letras E, B y
C respectivamente.

Monografias.com

Para comprender bien el funcionamiento del transistor
debemos recordar la teoría atómica, donde el
cristal N es un cristal que tiene exceso de electrones, y el
cristal P, es un cristal con exceso de huecos. Por ejemplo un
transistor de tipo NPN, siguiendo la imagen en la que una fuente
de alimentación (B) provee de corriente al emisor,
conectado al polo negativo en el cristal N, negativo
también. En estas condiciones se forman como unas barreras
Z1 y Z2 en las uniones con el cristal P de base, que
impiden el paso de la corriente. La base está llena de
huecos que pasan a ser ocupados por los electrones más
próximos de los cristales contiguos, formándose
estas barreras de átomos en equilibrio que impide el paso
de la corriente (salvo una muy débil corriente de fuga de
escasísimo valor). Pero si se polariza la fuente del mismo
signo que ella, es decir, con una tensión positiva
respecto al emisor, lo que se llama en sentido contrario, la
barrera Z1 desaparece porque el potencial positivo aplicado a la
base repele los huecos hacia los cristales N y penetran en la
zona de resistencia. Los electrones libres del emisor la
atraviesan siendo atraídos por los potenciales positivos
de la base y del colector. Dado que el potencial positivo del
colector es mucho más elevado que el de la base, los
electrones se sentirán más atraídos por el
primero, por lo que se obtendrá una elevada corriente del
colector (que abreviaremos IC) y una pequeña corriente de
base (IB). La corriente del emisor (IE) será por tanto
igual a la suma de la corriente de colector y la corriente de
base, tal como se deduce de las leyes de Kirchhoff. Es
decir:

IE = IC + IB

De esto se deduce que la corriente que sale
por el colector no va incrementada con la corriente de base. De
hecho, la corriente que pasa por emisor y que se designa IE se
compone de la corriente de la base y del colector que luego
circularán en diferente sentido. En la imagen vemos un
esquema de circuito elemental de un transistor en el que se
designa también el nombre de las tensiones (V). Así
tenemos que VBE es la tensión base-emisor, VCE es la
tensión colector-emisor. Como puede verse, en
el emisor las corrientes de base colector se suman, tal como dice
la ley de Kirchhoff.

Monografias.com

Conclusiones

Los transistores son unos elementos que han facilitado,
en gran medida, el diseño de circuitos electrónicos
de reducido tamaño, gran versatilidad y facilidad de
control.

Con el desarrollo de este trabajo además de
consolidar el trabajo en equipo, y consolidar nuestras
capacidades investigativas nos aporto importantes conocimientos
en algunos casos en forma de cultura general, y otras ocasiones
conocimientos específicos acerca de los diodos y cada uno
de los tipos mas conocidos.

Podemos decir que el surgimiento de los Diodos ha
proporcionado un gran avance a la ciencia no solo a la
electrónica sino a la ciencia de forma general porque casi
todos equipos que tenemos en la actualidad funcionan con
componentes eléctricos y con presencia de
transistores.

Bibliografía.

http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_efecto_campo
http://www.electronica2000.com

http: //areaelectronica.com/
Transistores/Transistores, transistor,
teoría..htm

 

 

Autor:

Andy Willian Mesa Mederos

Estudiante de 3er año de la Facultad de
Ingeniaría Mecánica de la Universidad Central
"Marta Abreu" de Las Villas. Ciudad de Santa Clara. Provincia de
Villa Clara. Cuba. Estudiante vinculado a investigaciones con el
Centro de Estudios de Energía y Tecnologías
Ambientales (CEETA) de la Facultad de Ingeniería
Mecánica de la UCLV.

País: Cuba.

Cuidad: Santa Clara.

Fecha de elaboración: 10 de diciembre de
2008.

Partes: 1, 2
 Página anterior Volver al principio del trabajoPágina siguiente 

Nota al lector: es posible que esta página no contenga todos los componentes del trabajo original (pies de página, avanzadas formulas matemáticas, esquemas o tablas complejas, etc.). Recuerde que para ver el trabajo en su versión original completa, puede descargarlo desde el menú superior.

Todos los documentos disponibles en este sitio expresan los puntos de vista de sus respectivos autores y no de Monografias.com. El objetivo de Monografias.com es poner el conocimiento a disposición de toda su comunidad. Queda bajo la responsabilidad de cada lector el eventual uso que se le de a esta información. Asimismo, es obligatoria la cita del autor del contenido y de Monografias.com como fuentes de información.

Categorias
Newsletter