Transporte de impurezas hidrogénicas en oro y óxido de zinc altamente degenerado (página 3)
19
Jrel =
n2e2
N
E
(3.10)
que de…ne la conductividad y por consiguiente su recíproco (la resistividad eléctrica)
como sigue
=
N
n2e2
(3.11)
Esta expresión constituye una forma alternativa para determinar la resistividad de
un material, en términos de la densidad de impurezas inmersas en el mismo[19]. En
realidad es difícil establecer el número de impurezas (y con ello N) que intrínsecamente
posee un material, pues ello depende de parámetros delicados durante el proceso de
obtención. En la práctica es más fácil controlar el número de impurezas agregadas
N (por ejemplo por dopado ); en consecuencia, se determina más bien la variación
en la resistividad de acuerdo con la expresión:
=
N
n2e2
(3.12)
El modelo aquí expuesto, aunque es cuantitativo, no resulta de fácil aplicación
frente a los resultados experimentales de este estudio, en vista de los varios factores
adicionales que alejan los materiales considerados de las propiedades del gas de
electrones ideal, entre otros, la gran capacidad de adsorción de gases del ZnO, y la
creación o eliminación de defectos y daños causados por el proceso de implantación
20
iónica.
El objetivo del modelo no es otro, que mostrar que un medio sólido, que nor-
malmente se le considera inmóvil, se mani…esta frente a las impurezas de hidrógeno
como un simple ‡uido, constituyendo un escenario adecuado para presentar los fenó-
menos de difusión y electromigración dentro de los tiempos típicos de observación
de laboratorio.
Es posible, sin embargo, hacer un estimativo burdo de los tiempos requeridos
para lograr el desplazamiento observado en el experimento ( unos 3mm ) ; para ello
se evalúa la velocidad de impurezas en un gas de electrones:
De la condición de equilibrio de fuerza N vrel = neE (Ec. 3.8), se obtiene:
vrel =
n eE
N
(3.13)
En unidades atómicas:
vrel =
1 n eV
(
N 27;2
)(
0;529
108d
) (u.a)
(3.14)
para V (vol); d(cm); e = 1
se obtiene de los valores del poder de frenado expresada en unidades atómicas,
por ejemplo
=
2
3
I( kF) [21], para hidrógeno sobre Au, es decir
0;18 u:a;
entonces:
vrel = 2
10
10
(
n V
)
N
(3.15)
21
expresándose en cm/s, se obtiene:
vrel = 4;24
10
2
(
n V
)
N
(cm=s)
(3.16)
Considerando valores típicos de los parámetros representativos de un buen con-
ductor, se encuentra:
3
3
n
N
V
1023 cm
1017 cm
1V
24
104
conduciendo a un estimativo de la velocidad de impurezas de, vrel
cm=s:
10
2
Para el ZnO de tipo conductor, como el reportado en la ref [18] (con
cm) los parámetros son:
3
3
n
N
V
1018 cm
1017 cm
1V
El cálculo ahora resulta en un estimativo de vrel = 2 cm=s:
A modo de comparación, la movilidad de los portadores en cobre comercial es
aproximadamente 374 cm=s
y la de óxido de zinc en las condiciones especí…cadas
anteriormente es aproximadamente 14 cm=s [18]
22
Capítulo 4
Implantación iónica
La implantación iónica es una técnica mediante la cual se introducen átomos
(impurezas) en un substrato, con el propósito de cambiar las propiedades mecánicas,
eléctricas, ópticas, metalúrgicas o químicas de éste sustrato. Las energías iónicas
consideradas están en el orden de 10 a 400 KeV, y las dosis iónicas típicas varian
de 1011 a 1019 iones=cm2:
Las ventajas principales que incluye la implantación iónica son: control preciso
sobre la dosis total, profundidad del per…l, y uniformidad del area implantada, entre
otros.
Para un haz iónico con un diámetro de haz in…nitesimalmente pequeño incidente
en dirección z, la distribución iónica en el substrato está dada por :
N(z;r) =
2
s
(2 )3=2 Rp RT
exp
"
2
z
p
Rp
2 Rp
2
#
exp
"
2
p
r
2 RT
2
#
(4.1)
Donde s es la rata incidente de iones por segundo, Rp el rango proyectado,
23
Rp
es la dispersión proyectada,
RT es la dispersión transversal.
Para una implantación de un haz in…nitesimal que uniformemente explora la
super…cie del substrato, la dependencia en r de la densidad del dopado desaparece.
La distribución del dopado, entonces se puede simpli…car como:
2
N(z) = p
2
Rp
exp
"
2
z
p
Rp
2 Rp
2
#
(4.2)
La cual describe una distribución de tipo Gaussiana para la densidad del dopado
de los iones implantados en función de la profundidad.
es el número total de iones
por unidad de área, y la cantidad
=
2
p
2
Rp es el pico de la concentración del
dopado en z = Rp:
La utilidad práctica de la técnica de implantación, compartida con otras formas de
dopado de materiales radica en que muchas de las propiedades químicas del átomo
original se conservan, produciendo recombinación o permaneciendo en estado
ionizado, generando vacancias o alojándose en intersticios del material, dando
origen a los cambios en las propiedades del material huésped [22].
A su vez, una de las ventajas de la implantación iónica, respecto de proced-
imientos de dopado como el de difusión térmica, tiene que ver con el control de los
per…les de concentración, normalizando los parámetros de
haz y substrato; sin
embargo, en implantación iónica se presentan diferencias en la concentración de
dopantes dependiendo del estado del material: si el material se presenta en esta-
24
do monocristalino, policristalino o amorfo, puede que la dirección del haz incidente
coincida con una de las direcciones de alta simetría del cristal, ocasionando una
gran penetración anómala del haz dentro del material, fenómeno conocido como
canalización (channelling).
La implantación iónica permite introducir prácticamente cualquier tipo de mate-
rial dentro de otro sin tener en cuenta la solubilidad de las especies interactuantes.
Además de la posibilidad de crear patrones de concentración de dopantes dentro
del material débido a la alta direccionalidad del haz.
Un aspecto de gran importancia en implantación iónica tiene que ver con la posi-
bilidad de superponer diferentes tipos de haces dentro de un material, creando
regiones de concentración y profundidad bien de…nidas.
La implantación iónica constituye, sin lugar a dudas, una valiosa técnica que
permite realizar una gran cantidad de investigaciones básicas como de las aplicaciones
tecnológicas que se derivan de la misma[22].
4.1.
4.1.1.
Interacción de un haz con la materia.
Potencial de interacción.
En el estudio de la interacción de los iones con la materia, el problema principal
tiene que ver con la de…nición del potencial de interacción proyectil-átomos huésped
para todos los rangos posibles de energía. De una manera muy general se consideran
25
dos regímenes en función de la velocidad de un ión, de…niéndose dos mecanismos
distintos de interacción; el límite que los separa está dado por la velocidad crítica
de Bohr:
V0 =
e2
h
(4.3)
Siendo e la carga del electrón y h la constante de Planck.
De tal manera que el primer régimen se presenta cuando la velocidad del proyectil
Vp >> V0, indicando que los electrones del blanco se mueven mucho más lento que
el proyectil conduciendo a una interacción puramente nuclear.
El otro régimen se consigue cuando Vp < V0, que indica que el proyectil es
mucho más lento que los electrones, de tal manera que la interacción se veri…ca
por completo con la nube electrónica [10].
4.1.2.
Poder de Frenado.
Cuando un proyectil (ión, átomo, o molécula) energético penetra dentro de un
sólido pierde energía a través de su interacción con los átomos del material.
Una vez el proyectil penetra en él pierde energía gradualmente debido al gran
número de interacciones que experimenta en su recorrido, como pueden ser ionización,
excitación atómica, generación de plasmones, fonones, desplazamientos atómicos,
entre otros.
Tomando en cuenta lo anterior, se de…ne el poder de frenado como la energía
perdida por unidad de recorrido del ión
26
(dE=dx); expresión que indica la razón
de cambio de la energía con el recorrido del proyectil [19].
El poder de frenado del material del sustrato, junto con la acción del potencial
interatómico referido en 4.1.1, de…nen la característica de penetración de un haz iónico
(Rp y
4.1.3.
Rp).
Efecto de la implantación de iones de H sobre la resis-
tividad eléctrica del ZnO
Se ha mostrado experimentalmente que para películas delgadas de ZnO, se
observa un cambio apreciable en la resistividad [23], reportándose una disminución,
de hasta dos ordenes de magnitud, que sugirió un incremento en la concentración de
portadores libres, y una posible disminución de la altura de barrera de potencial que
debe, sobrepasar los portadores de carga en las fronteras de grano. El aumento de la
concentración de portadores se produciría por generación de vacancias de oxígeno en
el ZnO al ser bombardeado con H+. Por cada átomo de Zinc metálico creado en sitios
de la red de ZnO, se generan dos electrones libres que contribuyen al incremento
de la concentración de portadores libres y por consiguiente de la conductividad.
Como se mencionó anteriormente la implantación iónica produce modi…caciones en
las propiedades físicas del material, una de esas propiedades modi…cadas es la de la
resistividad eléctrica de los materiales.
En el marco de este trabajo, no se estudia la fenomenológia asociada con la im-
27
plantación de iones, más bien se hace uso de la técnica de implantación para colocar
las impurezas (hidrógeno), en el material ZnO, como se menciona en la explicación
teórica.
28
Capítulo 5
Antecedente experimental
5.1.
Trabajo realizado
El antecedente directo es un trabajo experimental, realizado en el laboratorio de
implantación iónica del Departamento de Física, en el campo de la electromigración,
cuyo propósito inicial consistió en detectar el proceso de migración de impurezas
(hidrógeno implantado), mediante la caracterización eléctrica de muestras de ref-
erencia y muestras dopadas mediante la técnica de implantación iónica.
Especí…camente, el trabajo consistió en efectuar un estudio comparado, basado
en la observación sobre tiempos prolongados de la característica corriente-voltaje, en
películas de ZnO implantadas con hidrógeno, en relación a blancos similares pero
sin implantar (muestras de referencia). Los mismos criterios se siguieron para la(s)
29
La caracterización eléctrica realizada se basó en la implementación de la prueba
de las cuatro puntas, sin tomar en cuenta las correcciones y balances que normal-
mente se realizan, para el registro de la corriente y de los voltajes en una película
delgada; el esquema experimental correspondiente (Fig.5.1) muestra la disposición
de los electrodos sobre la película delgada, así como instrumentos auxiliares de me-
dida y la fuente de voltaje. Se trata de una variante del experimento típico para la
medición de conductividad. Al material de estudio se lo divide en secciones ( Fig.5.1)
mediante electrodos que son …jados por pintura de plata (cuatro electrodos parale-
los de alambre de cobre #40). Con los voltajes y corrientes, se calcula la resistencia
eléctrica total por cada sección.
Figura 5.1: Esquema experimental
Los resultado del trabajo previo[10] pusieron en evidencia una posible migración
30
de impurezas hidrogénicas inmersas en el material según el esquema que se muestra
en la …gura 5.2, lo que permitió interpretar algunos de los resultados experimentales
entonces obtenidos; especi…camente, la formación de cierto tipo de estructura que
aparece en las curvas de resistencia de la región central, en las películas que fueron
implantadas, comportamiento sin contrapartida en las muestras de referencia.
5.2.
Hipótesis experimental
de trabajo
El esquema de la …gura 5.2 ilustra el corte transversal de la película, como
también la disposición de los electrodos y una representación de las impurezas
implantadas, que por acción del campo eléctrico y corriente establecidos, por medio
de los electrodos laterales, da origén al fenómeno de la electromigración.
Ahora bién, la presencia de impurezas en el material ocasiona un cambio en
la resistividad del material, tal y como se ha explicado anteriormente, al parecer
haciendo menos resistiva la muestra dopada. Si se asume la hipótesis de migración
de las impurezas de la región central hacia algún extremo, éstas, a su paso por los
electrodos de la región central, producen un cambio en la resistividad del material,
manifestándose en un comportamiento anómalo en las curvas de resistencia, es decir
mostrando en el comportamiento de la resistencia eléctrica un cambio de curvatura
no evidenciado en las muestras sin implantar.
También, como se mostró anteriormente (Fig. 2.1) el campo eléctrico junto a la
corriente eléctrica, actuando sobre un ion ocasionan un desplazamiento del mismo,
31
Figura 5.2: Corte Transversal
hacia alguno de los electrodos (Ec.1.1); situación análoga se tendría con iones de
hidrógeno implantados en la región central de la película, que de acuerdo con las
investigaciones realizadas en metales[24] poseen carácter positivo y como tales, se
desplazarían hacia el cátodo por acción de la fuerza directa, pero sentirían a su vez
un arrastre en sentido contrario por acción de la corriente eléctrica. En todo caso,
sin importar por el momento cual es el sentido en el que se desplacen los iones, si
se espera que se produzca tal desplazamiento de masa, que al momento del paso
por los electrodos de la región central (Fig.2), produzca algún efecto notable sobre
el potencial eléctrico de dicha región.
Aunque parezca plausible que dicho fenómeno se mani…este en el comportamiento
de la resistencia del material, debe quedar claro que no es la única explicación, ya que
32
pueden darse otra serie de fenómenos, como pueden ser; el de difusión de hidrógeno
a nivel super…cial, acumulación de carga, creación de carga super…cial, o algún tipo
de fenómeno en los electrodos, entre otros.
Pero resulta probable que las anomalías en el comportamiento resistivo de las
zonas implantadas, sea efectivamente causada por la electromigración de hidrógeno
en el material o en su super…cie, debido a la diferencia sistemática observada entre
muestras sin implantar e implantadas.
Adicional a lo anterior se tiene un hecho importante que permitiría la observación
de la electromigración de hidrógeno, el cual, tiene que ver con el tamaño relativo del
radio iónico del hidrógeno y de la constante de red para el ZnO y el Au, los
cuales cristalizan en estructura cúbica, reportandose los siguientes valores [25]:
RH = 1;54Å
aZnO = 4;078Å
aAu = 4;09Å
claramente se muestra que el espacio “vacío”en la estructura cristalina del ZnO,
que es cúbica, es mayor que el radio iónico del hidrógeno (intersticial), dejando “es-
pacio”para que el hidrógeno pueda migrar, además de modi…car las propiedades del
material al constituirse en centro dispersor de los electrones de conducción.
Es importante también aclarar, que puede presentarse algún tipo de migración
o de difusión de tipo super…cial, debido a la poca profundidad (100Å) del hidrógeno
implantado.
33
No es el propósito de este trabajo esclarecer toda está fenomenológia, sino más
bien mostrar alguna evidencia experimental adicional que pueda aportar criterios de
discusión.
5.3.
Experimento efectuado
El presente trabajo pretende veri…car, bajo mejores condiciones experimentales, la
serie de observaciones hechas en el trabajo previo citado anteriormente, del efecto
de electromigración en películas de ZnO , además de extender la observación a un
metal noble (oro).
Algunas de las mejoras experimentales introducidas para este estudio fueron :
– Ambiente mejor controlado en cuanto a la luminosidad. El trabajo previo estuvo
expuesto, en algunos casos, a la incidencia de las variaciones de la luz– día en
el comportamiento fotosensible del ZnO. Para el presente caso, las mediciones
eléctricas se realizaron en cuarto oscuro, con tan solo la luz ‡uorecente de techo.
-Se llevó a cabo un análisis detallado del comportamiento eléctrico de muestras
sin implantar que sirvió de patrón de comparación con…able a la hora de identi…car
posibles alteraciones debidas al proceso de implantación.
-Se eligió a la resistencia como variable de descripción del comportamiento eléc-
trico, ya que ésta contiene la información simultánea de la corriente y el voltaje. Sin
embargo, algunas limitaciones en la descripción con base en esta variable se discuten
en el capitulo de análisis.
34
La metodología que se siguió para el desarrollo de este trabajo consistió en :
1. Fabricación películas delgadas:
Las películas de ZnO, utilizadas en este trabajo, son algunas muestras rema-
nentes del trabajo anterior, fabricadas por el metodo de evaporación reactiva
(recibidas del laboratorio de Celdas Solares).
Para la obtención de las muestras de tipo metálico se procedió a su fabricación
con la técnica de evaporación en alto vacío, utilizando el evaporador JEOL
(JEE-4C), ubicado en el Centro de Microscopía.
2. Análisis de las muestras de referencia:
Como ya se mencionó, se trata de establecer las regularidades en el compor-
tamiento de las muestras sin implantar, sobre las cuales se pudiesen destacar
las anomalías propias de la implantación
3. Implantación Iónica:
Se dopa con hidrógeno una región central de la muestra de aproximadamente
3mm2 , con dosis típicas de 1017iones=cm2, lo que implica tiempos reales de
exposición de alrededor de 1h 40 minutos por blanco a intensidades cercanas
a 3
10 8A. La energía de implantación es de 12 KeV:
Las muestras de referencia, así como las muestras implantadas se obtienen de
una misma película madre que es dividida en cuatro muestras más pequeñas
35
(esto garantiza que las muestras de referencia e implantadas tengan caracterís-
ticas similares), dos de las cuales se usan como referencia y las restantes se usan
como blancos implantados con hidrógeno.
4. Prueba de electromigración:
El diseño experimental y montaje se ciñe a lo descrito en la sección 5.1.
37
Capítulo 6
Resultados experimentales
En esta sección se presenta el conjunto de curvas experimentales que muestran
el comportamiento de la resistencia de las películas delgadas como función del
tiempo
( se reporta la resistencia total como también la de cada una de las
regiones adoptadas para el estudio), obtenidas para la condición de polarización a
voltaje constante.
En la fase preliminar del estudio se consideraron los registros temporales de
resistencia de cada muestra, junto a su respectiva referencia, siendo cada par muestra-
tetigo fragmentos de una misma película madre.
En la fase posterior, en la que la misma muestra sirve también de referencia, se
incluye un registro de la muestra previo a su implantación, un registro de la muestra
recién implantada y un registro posterior en un término no menor a 24 horas.
Se conviene en colocar a las variables eléctricas voltaje (V) y resistencia (R), los
subíndices +; c,
38
, t para hacer referencia a valores medidos o determinados
para la zona de ánodo, central, cátodo o total respectivamente, en todos los casos
el tiempo (t) se expresa en minutos, así como la corriente en microamperios (salvo
excepción explicita).
6.1.
Análisis de las muestras de ZnO
Las muestras de ZnO consideradas corresponden a películas delgadas elaboradas
en el Laboratorio de Celdas Solares del Departamento de Física, por la técnica de
evaporación reactiva, reportando películas con un espesor promedio de 0;5 m, de
relativa alta resistencia (R
104 ) , alcanzándose inclusive, en algunos casos, el
rango de los M .
En los númerales 6.1.1 y 6.1.2 se recogen las observaciones preliminares de dos
muestras no tratadas, con lo que se intentaba lograr familiaridad con las di…cultades
prácticas de la técnica. Allí se mani…estan rasgos gruesos del comportamiento de estas
muestras.
Seguidamente se exponen los resultados experimentales bajo las condiciones de
trabajo pretendidas, constituyendo el cuerpo de datos central a este estudio.
Se incluyen aquí los resultados experimentales que representan el comportamien-
to temporal detallado de las muestras de referencia anunciado en la sección 5.3.2,
como también resultados correspondientes para las muestras implantadas en relación
a sus propias referencias.
2,0×10
4,0×10
1,5×10
3,0×10
1,0×10
2,0×10
1,0×10
5,0×10
39
6.1.1.
Primera muestra de prueba
Esta primera muestra de ZnO (no tratada), se sometió a una polarización de
64.3 V.
Se puede apreciar que el comportamiento global de la película, como el de cada
una de las regiones, muestra una tendencia siempre creciente (Fig. 6.1).
El orden de magnitud de la resistencia total registrado para esta muestra es de
106ohm:
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Rt(ohm)
6
6
6
6
0,0
Tiempo(min)
a) Resistencia total
0
20
40
60
80
100
120
140
160
R+(ohm)
6
6
6
5
0,0
Tiempo(min)
b) Resistencia región positiva
1,0×10
1,2×10
1,0×10
8,0×10
8,0×10
6,0×10
6,0×10
4,0×10
4,0×10
2,0×10
2,0×10
40
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Rc(ohm)
6
6
5
5
5
5
0,0
Tiempo(min)
c) Resistencia región central
0
20
40
60
80
100
120
140
160
R-(ohm)
6
5
5
5
5
0,0
Tiempo(min)
d) Resistencia región negativa
Figura 6.1: Comportamiento temporal de la resistencia total y por regiones de la
primera muestra de prueba
6.1.2.
Segunda muestra de prueba
La segunda película de prueba (Fig. 6.2), se polarizó con 60V, registrándose
un comportamiento creciente, pero con una concavidad hacia abajo, diferente a la
primera muestra de prueba. En las curvas de resistencia aparecen puntos por fuera
de la tendencia; aunque no se conoce su origen, podría tratarse de la respuesta del
material a pulsos de inducción, o microprocesos de arco en la capa de material o
en las junturas semiconductor-conductor, dado el voltaje relativamente alto que se
1,0×10
9,0×10
2,2×10
8,0×10
7,0×10
6,0×10
1,4×10
5,0×10
41
empleó para la prueba. Para esta segunda muestra de prueba se registra un orden de
magnitud en la resistencia de 105ohm, un orden de magnitud menor que la primera
muestra , aunque ambas proceden de una misma película madre.
0
20
40
60
80
100
120
140
Rt(ohm)
2,6×105
2,4×105
5
2,0×105
1,8×105
1,6×105
5
1,2×105
Tiempo(min)
a) Resistencia total
0
20
40
60
80
100
120
140
R+(ohm)
5
4
4
4
4
4
Tiempo(min)
b) Resitencia región positiva
8,0×10
8,0×10
7,0×10
6,0×10
6,0×10
4,0×10
5,0×10
2,0×10
4,0×10
3,0×10
42
0
20
40
60
80
100
120
140
Rc(ohm)
4
4
4
4
0,0
Tiempo(min)
c) Resistencia región central
0
20
40
60
80
100
120
140
R-(ohm)
4
4
4
4
4
4
Tiempo(min)
d) Resistencia región negativa
Figura 6.2: Comportamiento temporal de la resistencia total y por regiones de la
segunda muestra de prueba
La variación monótona, con tendencia a la saturación, representa el compor-
tamiento de la gran mayoría de las muestras, posiblemente a procesos de desorción
de gases atmosféricos y contaminantes, que desalojan el material por acción del
efecto Joule ante el paso de la corriente eléctrica; aunque no se presenta aquí, se hace
muy evidente en el comportamiento de la corriente, registrada para cada muestra
(apéndice A).
43
6.1.3.
Primera muestra.
Para esta muestra de ZnO se obtuvieron registros iniciales de voltaje-corriente
únicamente para dos segmentos de la película: positiva y central; la tercera zona
presentaba una caída de tensión demasiado alta en relación con las otras dos zonas
por lo que se optó por no registrar el voltaje correspondiente (aunque la película
permaneció polarizada normalmente (Fig.6.3)). La causa de esta caída excesiva estaba
en una inhomogeneidad (franja más delgada), que se observaba aun a simple vista, a
partir del patrón de interferencia de la muestra bajo luz diurna. Posteriormente, se
decidió prescindir totalmente de esta región (cortocircuitando el electrodo de cátodo
con el electrodo central adyacente), quedando conformada la muestra solamente por
dos regiones: de cátodo y ánodo.
Esta con…guración se aprovechó para completar el análisis de las referencias (Fig
6.4); y además, para realizar un pequeño estudio de la característica voltaje-corriente
al hacer inversiones de signo en la fuente de polarización (apéndice B).
Es importante aclarar que para esta muestra no existe un registro de referencia
de ella misma, se debe comparar su comportamiento, con las muestras de prueba
reportadas anteriormente.
Primer registro (implantada)
Este registro fue elaborado con un voltaje de polarización de 60V, para la película
inmediatamente implantada, observándose un comportamiento bastante ‡uctuante
1,6×10
1,7×10
1,4×10
1,7×10
1,2×10
1,6×10
1,6×10
1,0×10
1,6×10
8,0×10
1,6×10
6,0×10
1,6×10
44
en la resistencia de la región central, pero de naturaleza creciente, en tanto que la
resistencia total de la muestra es de naturaleza decreciente (Fig.6.3).
Se encuentra que el orden de magnitud para la resistencia completa de la película
es de 106ohm, la mayor parte de la cual corresponde a un segmento, como se explicó
anteriormente.
0
20
40
60
80
Rt(ohm)
6
6
6
6
5
5
Tiempo(min)
a) Resistencia total
0
20
40
60
80
R+(Ohm)
4
4
4
4
4
4
4
Tiempo(min)
b) Resistencia región positiva
45
0
20
40
60
80
Rc(ohm)
4
4
4
4
4
Tiempo(min)
c) Resistencia región central
Figura 6.3 : Comportamiento temporal de la resistencia total, de la región positiva
y central para la muestra recien implantada
Segundo registro (post-implantación)
Para el segundo registro (tomado 12 horas después del primero y con aprox. 10V
de polarización) se encuentra un orden de magnitud en la resistencia de 104ohm. La
comparación con el primer registro se di…culta, ya que fueron considerados voltajes de
polarización diferentes (60V contra 10V), y para ésta última, la muestra sólo consta
7,8×10
2,8×10
2,8×10
7,6×10
2,8×10
7,4×10
2,8×10
7,2×10
2,7×10
2,7×10
7,0×10
2,7×10
0
20
40
60
80
4
4
4
4
4
Tiempo(min)
a) Resistencia total
0
20
40
60
80
4
4
4
4
4
4
4
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de dos regiones. En este registro la región de cátodo se comporta bastante suave
(Fig. 6.4), asimilándose al comportamiento de las referencias e indicando la posible
liberación del hidrógeno presente en el material.
Rt(ohm)
R+(ohm)
Tiempo(min)
b) Resistencia región ánodo
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