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EPROMs




Enviado por lorhab



    ROM-EPROM

    INTRODUCCIÓN:

    Diseño de la memoria
    Principal:
    Categorías de RAM y
    ROM

    La memoria
    principal se divide en RAM (read
    access memory)
    y ROM (read only memory).

    La RAM de semiconductores,
    construida a partir de transistores
    bipolares, son memorias
    estáticas, ya que retienen la información durante largos períodos
    de tiempo.

    La RAM de semiconductores
    diseñadas empleando transistores MOS
    (metal óxido semiconductor- tecnología usada para
    la fabricación de circuitos
    integrados a gran escala). Estos
    transistores
    van descargándose lentamente, de modo que un 1 puede
    acabar transformándose en un 0 si no se adoptan ciertas
    precauciones. Estas se denominan dinámicas.

    La ROM( Read Only Memory), o Memoria de solo
    lectura,
    contiene programas o
    datos
    construidos permanentemente por el fabricante, en la memoria del
    procesador. Son
    memorias no
    volátiles.

    Algunas ROM se fabrican en función de los
    requisitos del cliente. Es el
    fabricante el que programa la ROM
    grabando en ella su contenido. Debido al proceso que se
    emplea para grabar los datos en este
    tipo de ROM se las denomina a veces memorias
    programadas por máscara (mask programmable
    ROM).

    Algunas veces el usuario puede necesitar programar las
    ROM por su cuenta. Así, en una ROM con conexión por
    fusible, programar la ROM supone únicamente fundir algunos
    de estos fusibles mediante impulsos eléctricos. Este tipo
    de memoria se
    denomina memorias PROM
    (programable ROM).

    En la PROM ( Programmable ROM), o memoria
    programable de sólo lectura los
    contenidos pueden ser leídos pero no modificados por un
    programa de
    usuario. Sus contenidos no se construyen, como la ROM,
    directamente en el procesador cuando
    éste se fabrica, sino que se crean por medio de un tipo
    especial "programación", ya sea por el fabricante, o
    por especialistas técnicos de programación del usuario. Las operaciones muy
    importantes o largas que se habían estado
    ejecutando mediante programas, se
    pueden convertir en microprogramas y grabarse permanentemente en
    una pastilla de memoria
    programable sólo de lectura. Una
    vez que están en forma de circuitos
    electrónicos, estas tareas se pueden realizar casi siempre
    en una fracción del tiempo que
    requerían antes. La flexibilidad adicional que se obtiene
    con la PROM puede convertirse en una desventaja si en la unidad
    PROM se programa un error
    que no se puede corregir. Para superar esta desventaja, se
    desarrolló la EPROM, o memoria de solo
    lectura
    reprogramable.

    Con la EPROM (Erasable Programmable ROM) , cualquier
    porción puede borrarse exponiéndola a una luz ultravioleta
    y luego reprogramarse. La EEPROM o EAROM (Electrically Alterable
    ROM) es una memoria de solo lectura
    reprogramable eléctricamente sin necesidad de extraerlas
    de la tarjeta del circuito. Estas memorias
    suelen denominarse RMM (read mostly memories), memorias de
    casi-siempre lectura, ya que no suelen modificarse casi nunca,
    pues los tiempos de escritura son
    significativamente mayores que los de lectura. Son adecuadas para
    situaciones en las que las operaciones de
    escritura
    existen, pero son muchísimo menos frecuentes que las de
    lectura.

    EL BIOS

    El Firmware de la
    PC

    El sistema operativo
    actúa como interfase entre los programas en
    ejecución y los recursos de
    hardware de la
    PC, proveyendo además su administración.

    No obstante, existe un escalón más bajo
    aun de software, que
    permite al operativo y a programas
    entenderse con los dispositivos de hardware. Se trata del
    BIOS (Basic
    Input Output System).

    El BIOS consiste,
    hablando mas propiamente, en firmware, es decir, software grabado en una
    memoria no volátil y de solo lectura (ROM). Habitualmente
    se trata de una PROM o EPROM, en la que se ha grabado el software necesario para
    garantizar el arranque (start up) del equipo, la carga del
    operativo y la provisión de "servicios"
    para la operación de periféricos.

    Desde el punto de vista físico, el BIOS reside en
    una o dos PROMs, normalmente identificadas con el copyright y la
    versión del Firmware contenido. Considerado como memoria
    (de sólo lectura), el BIOS se
    encuentra mapeado en el segmento F000h. Es posible programar
    algunos equipos para que copien el código de la ROM a
    algún área de RAM, y ejecuten
    el BIOS desde
    allí, con la ventaja de un mejor tiempo de
    acceso.

    El reemplazo del
    BIOS

    El reemplazo del BIOS, sea por mejoramiento (upgrade), o
    para sustituir una versión defectuosa requiere un poco mas
    de paciencia y cuidado.

    El primer paso es obtener el BIOS adecuado, teniendo en
    cuenta en la elección las características del equipo y la
    proveniencia y confiabilidad del Firmware. En definitiva, el BIOS
    a instalar dependerá del motherboard.

    Como hasta no haber probado con el equipo en
    funcionamiento no se tendrá seguridad de que
    la sustitución fue exitosa, se recomienda manejar con
    cuidado el chip original.

    La EPROM de BIOS se reconoce fácilmente en el
    motherboard por estar etiquetada por el fabricante, aunque se
    debe ser precavido pues el equipo puede contener dispositivos
    parecidos, como EPROM de controlador de teclado.

    Una vez identificado el o los chips, se puede proceder
    al cambio. Cuando
    son dos, están identificados como HIGH o
    EVEN y LOW u ODD. Esto se refiere a que los
    bytes de dirección par e impar se almacenan en chips
    separados. Además debe siempre observarse la muesca de
    orientación.

    MEMORIAS EPROM

    Las EPROM, o Memorias sólo de Lectura
    Reprogramables, se programan mediante impulsos eléctricos
    y su contenido se borra exponiéndolas a la luz ultravioleta
    (de ahí la ventanita que suelen incorporar este tipo de
    circuitos), de
    manera tal que estos rayos atraen los elementos fotosensibles,
    modificando su estado.

    – Vista de la Ventanita de una
    EPROM –

    Las EPROM se programan insertando el chip en un
    programador de EPROM y activando cada una de las direcciones del
    chip, a la vez que se aplican tensiones de -25 a -40 V a los
    pines adecuados. Los tiempos medios de
    borrado de una EPROM, por exposición a la luz ultravioleta,
    oscilan entre 10 y 30 minutos.

    Con el advenimiento de las nuevas tecnologías
    para la fabricación de circuitos
    integrados, se pueden emplear métodos
    eléctricos de borrado. Estas ROM pueden ser borradas sin
    necesidad de extraerlas de la tarjeta del circuito. Además
    de EAPROM suelen ser denominadas RMM (Read Mostly Memories),
    memorias de casi-siempre lectura, ya que no suelen modificarse
    casi nunca, pues los tiempos de escritura son
    significativamente mayores que los de lectura.

    Las memorias de sólo lectura presentan un esquema
    de direccionamiento similar al de las memorias RAM. El microprocesador
    no puede cambiar el contenido de la memoria
    ROM.

    Nótese que las líneas de datos (como se ve
    en el gráfico a continuación) tienen un
    único sentido, orientado hacia el microprocesador.
    Esto significa que la información sólo puede salir
    de la memoria
    hacia el microprocesador.
    La ROM requerida se selecciona conectando a las líneas de
    selección de circuito las señales apropiadas
    provenientes de la barra de direcciones, y la dirección específica de memoria
    mediante las líneas A0-A9 de la barra de
    direcciones.

    Entre las aplicaciones generales que involucran a las
    EPROM debemos destacar las de manejo de sistemas
    microcontrolados. Todo sistema
    microcontrolado y/o microprocesado (se trate de una computadora
    personal o de
    una máquina expendedora de boletos para el
    autotransporte…) nos encontraremos con cierta cantidad de
    memoria programable por el usuario (la RAM), usualmente en la
    forma de dispositivos semiconductores
    contenidos en un circuito integrado (no olvidemos que un relay
    biestable o un flip-flop también son medios de
    almacenamiento de
    información).

    Estos dispositivos semiconductores
    integrados están generalmente construidos en tecnología MOS
    (Metal-Oxide Semiconductor, Semiconductor de Oxido
    Metálico) o -más recientemente- CMOS (Complementary
    Metal-Oxide Semiconducto o Semiconductor de Oxido Metálico
    Complementario). Lamentablemente, estos dispositivos RAM adolecen
    de un ligero inconveniente, que es, como ya se ha comentado, su
    volatibilidad.

    Dado que cualquier sistema
    microprocesado requiere de al menos un mínimo de memoria
    no volátil donde almacenar ya sea un sistema
    operativo, un programa de
    aplicación, un lenguaje
    intérprete, o una simple rutina de "upload", es necesario
    utilizar un dispositivo que preserve su información de manera al menos
    semi-permanente. Y aquí es donde comienzan a brillar las
    EPROMs.

    Funcionamiento de una
    EPROM

    Recordemos que son memorias de acceso aleatorio,
    generalmente leídas y eventualmente borradas y
    reescritas.

    Una vez grabada una EPROM con la información pertinente, por medio de un
    dispositivo especial que se explicará luego, la misma es
    instalada en el sistema
    correspondiente donde efectivamente será utilizada como
    dispositivo de lectura solamente. Eventualmente, ante la
    necesidad de realizar alguna modificación en la
    información contenida o bien para ser utilizada en otra
    aplicación, la EPROM es retirada del sistema, borrada
    mediante la exposición a luz ultravioleta
    con una longitud de onda de 2537 Angstroms (unidad de longitud
    por la cual 1 A = 10-10 m), programada con los nuevos
    datos, y
    vuelta a instalar para volver a comportarse como una memoria de
    lectura solamente. Por esa exposición para su borrado es
    que es encapsulada con una ventana transparente de cuarzo sobre
    la pastilla o "die" de la EPROM.

    Es atinente aclarar que una EPROM no puede ser borrada
    parcial o selectivamente; de ahí que por más
    pequeña que fuese la eventual modificación a
    realizar en su contenido, inevitablemente se deberá borrar
    y reprogramar en su totalidad.

    Las EPROMs almacenan bits de datos en celdas
    formadas a partir de transistores
    FAMOS (Floating Gate Avalanche-Injection Metal-Oxide
    Semiconductor) de cargas almacenadas.

    Estos transistores son
    similares a los transistores de efecto de campo (FETs) canal-P,
    pero tienen dos compuertas. La compuerta interior o flotante esta
    completamente rodeada por una capa aislante de dióxido de
    silicio; la compuerta superior o compuerta de control es la
    efectivamente conectada a la circuitería
    externa.

    La cantidad de carga eléctrica almacenada sobre
    la compuerta flotante determina que el bit de la celda contenga
    un 1 o un 0; las celdas cargadas son leídas
    como un 0, mientras que las que no lo están son
    leídas como un 1. Tal como las EPROMs salen de la
    fábrica, todas las celdas se encuentran descargadas, por
    lo cual el bit asociado es un 1; de ahí que una
    EPROM virgen presente el valor
    hexadecimal FF en todas sus direcciones.

    Cuando un dado bit de una celda debe ser cambiado o
    programado de un 1 a un 0, se hace pasar una corriente a
    través del canal de transistor desde
    la fuente hacia la compuerta (obviamente, los electrones siguen
    el camino inverso). Al mismo tiempo se aplica
    una relativamente alta tensión sobre la compuerta superior
    o de control del
    transistor,
    creándose de esta manera un campo eléctrico fuerte
    dentro de las capas del material semiconductor.

    Ante la presencia de este campo eléctrico fuerte,
    algunos de los electrones que pasan el canal fuente-compuerta
    ganan suficiente energía como para formar un túnel
    y atravesar la capa aislante que normalmente aísla la
    compuerta flotante. En la medida que estos electrones se acumulan
    en la compuerta flotante, dicha compuerta toma carga negativa, lo
    que finalmente produce que la celda tenga un 0.

    Tal como mencionáramos anteriormente, el proceso de
    borrado de los datos contenidos en una EPROM es llevado a cabo
    exponiendo la misma a luz ultravioleta.
    El punto reside en que la misma contiene fotones (Cuantos de
    energía electromagnética) de energía
    relativamente alta.

    Los fotones incidentes excitan los
    electrones(partícula elemental, electrónicamente
    negativa, de los átomos) almacenados en la compuerta
    flotante hacia un estado de
    energía lo suficientemente alta como para que los mismo
    puedan formar un túnel a través de la capa aislante
    y "escapar" de la compuerta flotante, lo que descarga la misma y
    retorna la celda al estado
    1.

    La familia
    2700

    Los dispositivos EPROM de la familia
    2700 contienen celdas de almacenamiento de
    bits configuradas como bytes direccionables individualmente.
    Habitualmente esta organización interna suele denominarse como
    2K x 8 para el caso de una 2716, 8k x
    8
    para una 2764, etc.

    En la figura anterior, podemos observar a modo de
    ejemplo el diagrama de
    bloques de una EPROM del tipo 2764. Allí podemos observar
    la matriz formada
    por celdas de almacenamiento
    como la anteriormente descripta, rodeada de la lógica
    asociada de decodificación y selección, buffers de
    salida, etc.

    Por razones de compatibilidad (tanto con dispositivos
    anteriores como con dispositivos futuros), la gran mayoría
    de las EPROMs se ajustan a distribuciones de terminales o
    "pin-outs" estándar. Para el caso mas usual, que es el
    encapsulado DIP (Dual In-Line Package) de 28 pines, el
    estándar utilizado es el JEDEC-28.

    En cuanto a la programación de estos dispositivos (si bien
    conceptualmente obedece siempre a la metodología descripta anteriormente) en
    realidad existe una relativamente alta variedad de
    implementaciones prácticas.

    Si bien en la actualidad parece haberse uniformado
    razonablemente, las tensiones de programación varían en
    función tanto del dispositivo, como del fabricante;
    así nos encontramos con tensiones de programación (Vpp) de 12,5V, 13V, 21V y
    25V.

    Lo mismo sucede con otros parámetros importantes
    que intervienen en el proceso de
    grabación de un EPROM, como es el caso de la
    duración de dicho pulso de programación y los
    niveles lógicos que determinan distintos modos de
    operación.

    PROGRAMADOR/ EMULADOR
    DE
    FLASH
    EPROM

    La manera más cómoda, aunque
    también la más costosa de desarrollar circuitos
    microcontroladores consiste en simular la parte
    principal del controlador con la ayuda de un emulador. Una de
    opciones más baratas consiste en emplear un programa monitor junto
    con un emulador de memorias EPROM. Desafortunadamente, la
    mayoría de los programas
    monitores
    consumen algunos de los recursos del
    controlador. Esta seria desventaja se resuelve utilizando el
    emulador de memorias EPROM, que se comporta básicamente
    igual que una memoria RAM de un
    doble puerto: a un lado se encuentra la interfase, como una
    memoria EPROM, mientras que al otro lado proporciona las
    señales necesarias para introducir el flujo de datos a la
    memoria
    RAM.

    Cuando compañías como AMD desarrollaron
    las memorias EPROM "Flash" con una
    tensión de programación de 5V y un ciclo de vida
    que permitía programar la memoria
    hasta 100.000 veces, se abrieron las puertas a un nuevo modelo de
    emulador de memorias EPROM. El diseño
    que se presenta no solo actúa como un emulador con una
    enorme capacidad de almacenamiento,
    sino que también funciona como un programador de memorias
    EPROM "Flash",
    ahorrándose comprar un sistema
    exclusivamente dedicado a programar.

    Cuando se termine de trabajar con el emulador durante la
    fase del diseño,
    se dispondrá en la memoria EPROM "Flash" del
    código definitivo, que se sacará del emulador y se
    introducirá en el circuito que se vaya a utilizar en la
    aplicación. Como los precios de las
    memorias EPROM "Flash" no son
    mucho mayores que los de las memorias EPROM convencionales, la
    ventaja adicional que se ha descrito es sin costo.

    Qué es una
    memoria EPROM "Flash"

    Aparte de que las memorias EPROM "Flash" tienen una
    entrada de escritura,
    mientras están funcionando se comportan como las EPROM
    normales. La única diferencia se encuentra en como se
    cargan y se borran los datos en la memoria. Mientras que durante
    el proceso de
    programación de las memorias EPROM convencionales se
    necesita una tensión bien definida durante cierto
    intervalo de tiempo, y para
    borrar el componente hay que exponerlo a luz ultravioleta, en las
    E.Flash ambos procesos
    están controlados y se llevan a cabo internamente. Para
    tal efecto la memoria recibe una secuencia de comandos
    predefinida (borrar, programar) que incluye algunas precauciones
    especiales (determinadas por el fabricante) destinadas a evitar
    que se borre cualquier dato por error.

    El comando se transfiere a la memoria EPROM "Flash"
    mediante una serie de operaciones de
    escritura,
    como se indica en la tabla 1. Los dos primeros comandos
    "Lectura/Reset" preparan la memoria para operaciones de
    lectura. El comando "Autoselección" permite leer el
    código del fabricante y el tipo de dispositivo. El comando
    "Byte" carga el programa dentro de la memoria EPROM, mientras que
    "Borrar Chip" actúa durante el proceso de
    borrado, que no dura más de un minuto. Desde el punto de
    vista lógico podemos afirmar que la memoria EPROM "Flash"
    está dividida en sectores que se pueden borrar
    individualmente con la ayuda del comando "Borrar
    Sector".

    Las memorias EPROM "Flash" disponen de otro mecanismo,
    basado en la división en sectores, que las protege de
    acciones de
    escritura o lectura no deseadas. Cuando un sector está
    protegido de esta forma no se puede realizar una operación
    de lectura o sobre escritura con una tensión de 5V. Este
    hecho es muy importante y se debe tener siempre presente cuando
    se utilicen estos dispositivos. Solamente se puede eliminar esta
    protección con la ayuda de un programador
    especial.

    Durante el proceso de programación o borrado se
    puede leer, mediante un comando de acceso en "lectura", el estado de
    la memoria EPROM "Flash" en la misma posición que el byte
    de programado o borrado. Mientras se borra un sector se puede
    leer cualquier dirección que pertenezca al
    sector.

    Durante la secuencia de programación, el bit de
    orden superior (DQ7) del byte que se está leyendo toma el
    valor negado
    del bit que se esté programando, mientras que DQ5 se
    mantiene a 0. Cuando el ciclo de programación
    termina correctamente se deshace esta inversión y los bits 5 y 7 toman los valores
    planeados.

    Como durante una secuencia de borrado parece que todas
    las posiciones de la memoria están programadas con el
    valor FFH, el
    bit 7 permanece invariablemente a cero durante este proceso.
    Cuando alguno de los dos procesos
    excede cierto límite de tiempo, que está
    determinado internamente, se produce un "error de
    temporización", entonces el bit 5 toma el valor 1
    mientras que el bit 7 se mantiene invertido. La función
    que implementa el bit 6 está condicionada por el requisito
    de compatibilidad. El bit 3 se utiliza cuando se borran
    simultáneamente varios sectores. Sin embargo, el emulador
    descrito no tiene estas características.

    Las Direcciones y los
    Datos

    En la figura 1 se muestra e
    diagrama de
    bloques del emulador/programador. Detrás de la interfase
    paralelo con el PC encontramos dos registros de
    direcciones, un registro de datos
    y un multiplexor que reduce a dos el número de
    líneas de datos que van hacia el PC. En el centro del
    circuito se encuentra la memoria EPROM.

    Mientras que el programa la memoria el resto de los
    bloques permanecen inactivos. En el modo emulador se lee la
    memoria mediante el circuito que realiza la aplicación, a
    través del "buffer". El circuito está conectado al
    bloque llamado "Sonda del emulador".

    Debido a las características propias de este circuito
    sería muy difícil realizar la
    comunicación con el PC mediante un puerto Centronics,
    se necesitaría un programa y unos circuitos
    extremadamente complejos. Por este motivo, aunque el
    programador/emulador utiliza el puerto
    paralelo del PC, no se utiliza el protocolo
    estándar Centronics.

    Además de ocho líneas de datos, el
    puerto
    paralelo proporciona cuatro líneas de control hacia el
    emulador y cinco líneas de estado que
    pueden emplear los comandos de
    escritura y lectura.

    Se utilizan tres líneas de estado para generar
    las señales de reloj de los registros IC2,
    IC3 e IC4, que controlan un total de 19 líneas de
    direcciones (desde A0 hasta A18), una línea para la
    señal OE, y cuatro líneas para seleccionar una
    señal CE (desde CE1 hasta CE4). La señal WE se
    genera a partir de las cuatro líneas de control. Como la
    memoria EPROM solamente copia el byte sobre el bus de datos durante el
    flanco de la señal WE, tanto los registros como la
    memoria EPROM comparten las 8 líneas de datos disponibles
    en la interfase paralelo. Durante las operaciones de
    lectura (OE = nivel bajo), el integrado IC5 desconecta la memoria
    EPROM de las líneas de datos. Esto se consigue invirtiendo
    la señal OE (en IC1c) y aplicándola a la
    señal de habilitación para IC5.

    Sólo hay cinco líneas disponibles para
    leer un byte, de manera que se necesitan dos multiplexores
    4-a-1 para reducir las 8 líneas de datos a dos. Por este
    motivo el PC tiene que acceder cuatro veces a estas líneas
    para leer completamente cada byte. Como los registros
    únicamente copian los datos sobre las líneas de
    datos durante el flanco de subida de las señales CLK1,
    CLK2, y CLK3, se pueden usar éstas señales para
    controlar los multiplexores.
    Sin embargo, respecto al programa de control conviene
    tener en cuenta que cada vez que cambia el estado de
    las líneas de control solamente está disponible ese
    byte específico, el cual pertenece al registro cuya
    línea CLK ha cambiado de nivel bajo a nivel alto. La
    disposición de las líneas de datos del multiplexor
    es tal que el bit 7 y el bit 5 se seleccionan
    automáticamente después de la última
    operación de escritura de una secuencia de comandos. La
    distribución de la señal a
    través de los multiplexores
    permite que el circuito que lee el byte completo sea muy
    sencillo.

    El cambio entre
    el modo emulador y el modo programador se realiza de la misma
    forma. Cuando una de las tres líneas de control toma un
    nivel alto, los tres inversores con colector abierto,
    configurados en OR-cableada (IC1 d, IC1 e, IC1 f), aseguran que
    actúe la señal "Carga" (toma un nivel bajo). Esto
    permite habilitar las salidas de los registros IC2,
    IC3 e IC4, al igual que el integrado IC5, de tal manera que tanto
    las líneas de direcciones como las líneas de datos
    del circuito maestro se mantienen separadas de las
    correspondientes líneas de memoria EPROM. m

    Al mismo tiempo se prepara la señal "Reset", lo
    que permite que el pin RST (en el transistor FET
    T1) tome un nivel bajo, y el pin llamado RST+ tome un nivel alto.
    Cuando se aplica una señal "Reset" (activa el nivel alto)
    se puede aplicar una tensión de +5V (con el puente
    cerrado), o "robar" el nivel correspondiente del circuito (a
    través del pin RST+). La última opción es
    especialmente interesante cuando se usa un miembro de la familia de
    microcontroladores 80C51, porque permite conectar
    en paralelo el condensador que suele acompañar a la
    línea "Reset". Se podría seguir enunciando el modo
    de funcionamiento del programador/emulador, pero
    deberíamos insertarnos aún más en la
    conceptualización electrónica, por lo que consideramos que
    las nociones vertidas son suficientes para realizar nuestro
    estudio pertinente.

    Figura 1. Diagrama de
    Bloques del programador/emulador de memorias

    EPROM , y distintas posiciones del
    bloque de interruptores.

    Programando las
    memorias EPROM "Flash"

    Cuando se utiliza el emulador como programador, S3
    permite quitar la memoria EPROM sin ningún riesgo, y sin
    tener que desconectar el programador de PC o de la fuente de
    alimentación. El interruptor simplemente
    deshabilita la tensión de alimentación de 5V.
    También hace que la señal /WE quede conectada a 0 V
    y desconecta la señal "Carga", de tal manera que tanto las
    salidas del registro como las
    salidas del "driver" del bus queden deshabilitadas.
    Entonces el diodo D3 y el inversor bloquean las señales de
    los "driver" de las líneas de dirección del circuito de
    aplicación. Todas las líneas quedan conectadas a 0V
    a través de los conjuntos de
    resistencias
    (R7, R8, R9 y R10). Cuando se apaga el diodo LED D1 se puede
    retirar la memoria EPROM.

    El interruptor S1 permite utilizar el emulador de manera
    autónoma. Cuando se desconecta el emulador del PC las
    resistencias
    del "pull-up" (R1 y R2) fuerzan que todas las líneas tomen
    un nivel alto. En una situación normal esto
    provocaría que el circuito comenzase a trabajar en modo
    programador, pero como la señal "Carga" está
    bloqueada por el interruptor S1 y la resistencia de
    "pull-up" R2, el circuito permanece en modo emulador.

    Uso Práctico
    del Programador/Emulador de EPROM "Flash"

    Es compatible con las memorias EPROM "Flash" 29F040 y
    29F010 de AMD. Como ambas tienen la misma secuencia de comandos no es
    necesario hacer ninguna distinción. Unicamente puede
    producirse algún problema si se intenta cargar un fichero
    con un tamaño mayor que la capacidad de almacenamiento de
    la memoria. El programa no detecta esta
    situación.

    Se pueden conectar hasta cuatro emuladores a un
    único puerto
    paralelo. Como la mayoría de los PC s disponen de tres
    puertos paralelos (LPT1, LPT2 y LPT3) podremos controlar hasta 12
    emuladores. Las resistencias
    R1 y R2 sólo se conectan al último emulador. A
    través del interruptor DIP S2 se selecciona uno de los
    emuladores que esté conectado a un puerto particular. Si
    la memoria EPROM que se va a emular tiene un espacio de
    direcciones menor que una memoria EPROM "Flash", entonces las
    líneas de direcciones se pueden desactivar mediante unos
    puentes o el interruptor DIP S4. Cuando tanto el interruptor como
    el puente asociado están abiertos, la línea de
    direcciones correspondiente se mantiene a nivel bajo gracias a
    una resistencia
    "pull-down". Se comprobará que existen memorias EPROM que
    esperan que en los pines que no se utilizan haya un nivel alto.
    Si cuando se trabaja con una de esas memorias la línea de
    direcciones no está adecuadamente desconectada, el
    emulador no funcionará correctamente. Por este motivo se
    recomienda comprobar siempre que todos los interruptores y todos
    los puentes están en la posición correcta, y que
    todas las líneas de direcciones que no se utilizan
    están desconectadas.

    Otro error que se puede cometer facilmente consiste en
    intentar cargar ficheros hexadecimales. El programa
    únicamente admite ficheros binarios.

    Algunos Programas
    para el emulador /programador de EPROM
    "Flash"

    Parámetros comunes:

    /L<puerto><ce> donde <puerto> hace
    referencia a LPT1, LPT2 o LPT3 , y <ce> hace referencia al
    emulador CE1, o al CE2, CE3 o CE4.

    Por ejemplo, se conecta el emulador 1 al LPT2, entonces
    los parámetros serán /L21.

    Ejemplos de Programas para el programador de memorias
    EPROM "Flash":

    ERAFLASH /L<puerto><ce>: borra la memoria
    EPROM que se encuentre en el emulador.

    PRGFLASH /L<puerto><ce><fich.binario>:
    programa la memoria EPROM "Flash" con el fichero binario que se
    especifique. No se comprueba si el fichero cabe realmente en la
    memoria. Si el tamaño es mayor que la capacidad de la
    memoria la rutina de verificación dará un
    error.

    RDFLASH /L<puerto><ce><fichero>
    /B<número>: lee <número> bytes del
    contenido de la memoria EPROM instalada en el emulador y los
    copia en <fichero>. Como el programa no conoce el
    tamaño de la memoria que estáconectada no se
    comprueba si <número> es un valor
    demasiado grande.

    Ejemplos de Programas para el
    emulador:

    LOADEMU /L<puerto><ce><fich.binario> :
    el programa configura en modo de carga el emulador que se
    selecciona con el parámetro /L, borra la memoria "Flash",
    carga el fichero <fich.binario>, y vuelve al modo
    emulador.

    RESETAPP /L<puerto><ce>: permite inicializar
    la aplicación que se esté ejecutando en el circuito
    maestro a través del emulador que se seleccione con el
    parámetro /L. Se genera un pulso "reset" con una
    duración de 1s y se transfiere al circuito
    maestro.

    Borradores de EPROMs

    En las
    fotografías se presentan diferentes modelos de los
    tantos borradores de EPROMs existentes.

    BIBLIOGRAFÍA

    • Técnicas digitales con Circuitos
      Integrados. – Gimzburg-
    • Revista Radio
      Práctica Electrónica Nº 2329 (
      Artículo de Favio Wainstein).
    • Revista Elektor Nº 194 (Artículo de C. F.
      Urban)
    • Revista PC Práctica Nº 5 (Artículo
      del Lic. Fernando A. Tasso)
    • Revista Electonics Now Nº 11
    • Microprocesador Z80 – Nichols – Rony-
    • Revista Elektor Nº 89
    • Revista Electrónica y Telecomunicaciones Año 1 Nº
      6
    • Microprocesadores – Cristiani-Goldszein –
    • El IBM PC y PS/2 – Peter Norton- Richard Wilton
    • The Z-80 Microcomputer Handbook – William Barden Jr.
    • Revista K-64 Computación para todos Nº
      18
    • Bases de los microprocesadores y el 6800 – Ron Bishop
    • Algunos Archivos de
      Internet
    • Apuntes Bibliográficos provistos por
      compañero español.

    AGRADECIMIENTOS:

    Al Ingeniero Sr. Gonzalo Estivariz

    Al Técnico Superior en Controles
    Automáticos y Sistemas
    Digitales Sr. Daniel Gamero

    DATOS DE LA
    AUTORA:

    Liliana Beatriz Olivera Rivas

    Licenciada en Sistemas

    Programadora de Sistemas

    Auxiliar Docente de Taller de Investigación (3er. año) de la
    carrera de Licenciatura en Sistemas de
    Facultad de Ciencias de la
    Administración de Concordia, Entre
    Ríos, Argentina
    (UNER)

    Auxiliar Docente de Metodología de la Investigación (3er. año) de la
    carrera de Licenciatura en Sistemas de
    Facultad de Ciencias de la
    Administración de Concordia, Entre
    Ríos, Argentina
    (UNER)

    e-mail:

    ÍNDICE

    ROM-EPROM

    INTRODUCCIÓN: *

    EL BIOS *

    El Firmware de la PC *

    El reemplazo del BIOS *

    MEMORIAS EPROM *

    Funcionamiento de una EPROM *

    La familia
    2700 *

    PROGRAMADOR/ EMULADOR DE FLASH
    EPROM
    *

    Qué es una memoria EPROM
    "Flash"
    *

    Las Direcciones y los Datos *

    Programando las memorias EPROM
    "Flash"
    *

    Uso Práctico del Programador/Emulador de EPROM
    "Flash"
    *

    Algunos Programas para el emulador /programador de
    EPROM "Flash"
    *

    Borradores de EPROMs *

    AGRADECIMIENTOS: *

    DATOS DE LA AUTORA: *

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