Monografias.com > Computación > Hardware
Descargar Imprimir Comentar Ver trabajos relacionados

Memorias Programables




Enviado por arroyocesar93



    1. Memorias
      programables.
    2. Resumen.
    3. Bibliografía
    1. Las computadoras y otros tipos de sistemas
      requieren el almacenamiento permanente o semipermanente
      de un gran número de datos
      binarios. Los sistemas basados en microprocesadores necesitan de la
      memoria para almacenar los programas y
      datos generados durante el procesamiento y disponer de
      ellos cuando sea necesario.

      Las modernas técnicas de circuitos
      integrados permiten combinar miles e incluso millones
      de puertas dentro de un solo encapsulado. Esto ha llevado a
      la fabricación de diseños más
      complejos como los dispositivos lógicos
      programables, memorias
      y microprocesadores, que proporcionan dentro de un solo
      chip circuitos que requieren gran cantidad de
      componentes discretos.

      Las memorias son dispositivos
      de almacenamiento de datos binarios de largo o corto
      plazo .La memoria
      es un componente fundamental de las computadoras digitales
      y está presente en gran parte de los sistemas
      digitales. La memoria de acceso aleatorio (RAM,
      random access
      memory) almacena datos temporalmente, la memoria de
      sólo lectura
      (ROM, Read only memory) los guarda de manera permanente. La
      ROM forma parte del grupo de
      componentes llamados dispositivos lógicos
      programables (PLD, programmable logic devices), que emplean
      la información almacenada para definir
      circuitos lógicos.

      Dispositivos que son capaces de proveer el medio
      físico para almacenar esta información. Y
      aunque esta es su tarea fundamental (más del 90 % de
      las memorias se dedican a este fin) también se
      pueden utilizar para la implementación de circuitos
      combinacionales y pueden sustituir la mayor parte de la
      lógica de un sistema.

      Los chips LSI pueden programarse para realizar
      funciones
      específicas. Un dispositivo lógico
      programable (PLD) es un chip LSI que contiene una estructura de circuito "regular", pero que
      permite al diseñador adecuarlo para una
      aplicación específica. Cuando un PLD
      típico deja la fábrica de IC, aún no
      está listo para una función específica, sino que
      debe ser programado por el usuario para que realice la
      función requerida en una aplicación
      particular. Los chips con la mayor funcionalidad por unidad
      de área han sido los chips de memoria, que contienen
      arreglos rectangulares de celdas de memoria. Uno de los PLD
      es el chip "de memoria de sólo lectura".
      En una primera clasificación, se puede distinguir
      entre memorias de almacenamiento masivo, caracterizadas por
      ser memorias baratas y lentas, y memorias semiconductoras o
      memorias de estado
      sólido, más caras y rápidas. En las
      primeras, la prioridad es disponer de una gran capacidad de
      almacenamiento, como ocurre en los discos
      duros, en tanto que en las segundas, la prioridad es
      disponer de velocidades de acceso rápidas
      compatibles con la mayor capacidad de almacenamiento
      posible Que son las habitualmente utilizadas como memorias
      de almacenamiento de programa y
      de datos en la mayoría de las aplicaciones. Que
      ofrece cada tipo de memoria así como las
      tecnologías de fabricación, que han permitido
      un espectacular avance en las velocidades y escalas de
      integración en los últimos
      años.

      Podemos considerar una memoria como un conjunto de
      M registros
      de N bits cada uno de ellos. Estos registros ocupan las
      posiciones desde el valor 0
      hasta M-1. Para acceder a cada registro es
      necesaria una lógica de selección. En general, para cada
      registro se pueden realizar procesos
      de lectura y de escritura. Para realizar todas estas
      operaciones son necesarios los siguientes
      terminales Terminales de datos (de entrada
      y de salida). En nuestro caso son necesarios N
      terminales:

      Terminales de direcciones, son
      necesarios m, de tal forma de 2m=M

      Terminales de control.
      Son los que permiten especificar si se desa realizar una
      operación de escritura o de lectura, seleccionar el
      dispositivo.

      /CS (Chip select): Es el terminal
      de selección de chip (habitualmente es activo con
      nivel bajo.

      1 Las primeras son las relacionadas con nuestros
      conocidos discos de ordenador, y las últimas
      están abriendo en la actualidad un atractivo abanico
      de posibilidades: desde los discos magnetoópticos
      hasta las memorias holográficas.

      R/W (Read/Write): Selecciona el
      modo de operación (lectura o escritura) sobre
      la

      memoria. habitualmente con valor bajo es activo el
      modo de escritura.

      OE (Output Enable). Controla
      el
      estado de alta impedancia de los terminales de salida
      del dispositivo.

    2. INTRODUCCIÓN

      1. Es una memoria de sólo lectura que se
        programan mediante máscaras. Es decir, el
        contenido de las celdas de memoria se almacena durante
        el proceso de fabricación para
        mantenerse después de forma irrevocable. Desde
        el instante en que el fabricante grabo las
        instrucciones en el Chip, por lo tanto la escritura de
        este tipo de memorias ocurre una sola vez y queda
        grabado su contenido aunque se le retire la
        energía.

        Se usa para almacenar información vital
        para el funcionamiento del sistema: en la gestión del proceso de arranque,
        el chequeo inicial del sistema, carga del sistema
        operativo y diversas rutinas de control de dispositivos de entrada/salida suelen
        ser las tareas encargadas a los programas grabados en
        ROM. Estos programas forman la llamada BIOS
        (Basic Input Output System). Junto a la BIOS se
        encuentra el chip de CMOS donde se almacenan los
        valores que determinan la configuración
        hardware del sistema, como tipos de
        unidades, parámetros de los discos duros, fecha
        y hora del sistema… esta información no se
        pierde al apagar la
        computadora. Estos valores se pueden modificar por medio
        del SETUP.

        La memoria
        ROM constituye lo que se ha venido llamando
        Firmware, es decir, el software metido físicamente en
        hardware. De cara a los fines del usuario es una
        memoria que no sirve para la operación de su
        programa, sólo le aporta mayores funcionalidades
        (información) del equipo.

        Si tenemos idea de cómo se fabrican los
        circuitos integrados, sabremos de donde viene el
        nombre. Estos se fabrican en obleas (placas de silicio)
        que contienen varias decenas de chips. Estas obleas se
        fabrican a partir de procesos fotoquímicos,
        donde se impregnan capas de silicio y oxido de silicio,
        y según convenga, se erosionan al exponerlos a
        la luz.
        Como no todos los puntos han de ser erosionados, se
        sitúa entre la luz y la oblea una mascara con
        agujeros, de manera que donde deba incidir la luz, esta
        pasará. Con varios procesos similares pero
        más complicados se consigue fabricar los
        transistores y diodos micrométricos que componen
        un chip. El elevado coste del diseño de la máscara
        sólo hace aconsejable el empleo de los microcontroladores con este tipo de
        memoria cuando se precisan cantidades superiores a
        varios miles de unidades.

        Los PCs vienen con una cantidad de ROM, donde
        se encuentras los programas de BIOS (Basic Input Output
        System), que contienen los programas y los datos
        necesarios para activar y hacer funcionar el computador y sus periféricos.

        La ventaja de tener los programas
        fundamentales del computador almacenados en la ROM es
        que están allí implementados en el
        interior del computador y no hay necesidad de cargarlos
        en la memoria desde el disco de la misma forma en que
        se carga el DOS. Debido a que están siempre
        residentes, los programas en ROM son muy a menudo los
        cimientos sobre los que se construye el resto de los
        programas (incluyendo el DOS).

         Estas memorias, cuyo nombre procede de
        las iniciales de Read Only Memory son solo de lectura.
        Dentro de un proceso de elaboración de datos de
        una computadora, no es posible grabar
        ningún dato en las memorias ROM. Son memorias
        perfectas para guardar microprogramas, sistemas
        operativos, tablas de conversión,
        generación de caracteres etc.

          Las características
        fundamentales de las memorias ROM son:

        1. Alta densidad: la estructura de la
        celda básica es muy sencilla y permite altas
        integraciones.

        2. No volátiles: el contenido de
        la memoria permanece si se quita la alimentación.

        3. Coste: dado que la programación se realiza a nivel
        de máscaras durante el proceso de
        fabricación, resultan baratas en grandes
        tiradas, de modo que el coste de fabricación se
        reparte en muchas unidades y el coste unitario es
        baja.

        4. Sólo lectura:
        únicamente son programables a nivel de
        máscara durante su
        fabricación.

        Su contenido, una vez fabricada, no se puede
        modificar.

        Hay muchos tipos de ROM:

        Una ROM puede estar fabricada tanto en
        tecnología bipolar como
        MOS.

        La figura muestra celdas ROM bipolar. La presencia
        de una unión desde una línea de fila a la
        base de un transistor representa un ‘1’
        en esa posición. En las uniones

        fila/columna en las que no existe
        conexión de base, las líneas de la
        columna

        permanecerán a nivel bajo
        (‘0’) cuando se direccione la
        fila.

         La figura 5.15 muestra celdas ROM con
        transistores MOS. Básicamente son iguales que
        las anteriores, excepto que están fabricadas con
        MOSFETs.

        Para ver el gráfico
        seleccione la opción "Descargar" del menú
        superior 

      2. MEMORIA ROM (READ ONLY
        MEMORY)

        Una alternativa para proyectos pequeños es el uso de
        una de las memorias de sólo lectura programables
        o PROM (programmable read only memories),
        memoria basada en semiconductores que contiene
        instrucciones o datos. Éstas existen en muchas
        variantes, pero todas permiten que el usuario programe
        el dispositivo por si mismo, ahorrándose el alto
        costo de la producción de la máscara.
        En la PROM (programable ROM), o memoria programable de
        sólo lectura los contenidos pueden ser
        leídos pero no modificados por un programa de
        usuario. Sus contenidos no se construyen, como la ROM,
        directamente en el procesador cuando éste se
        fabrica, sino que se crean por medio de un tipo
        especial "programación", ya sea por el
        fabricante, o por especialistas técnicos de
        programación del usuario. El proceso de
        programación es destructivo: una vez grabada, es
        como si fuese una ROM normal.

        Las operaciones muy importantes o largas que
        se habían estado ejecutando mediante programas,
        se pueden convertir en microprogramas y grabarse
        permanentemente en una pastilla de memoria programable
        sólo de lectura. Una vez que están en
        forma de circuitos electrónicos, estas tareas se
        pueden realizar casi siempre en una fracción del
        tiempo que requerían antes. La
        flexibilidad adicional que se obtiene con la PROM puede
        convertirse en una desventaja si en la unidad PROM se
        programa un error que no se puede corregir. Para
        superar esta desventaja, se desarrolló la EPROM,
        o memoria de solo lectura
        reprográmale.

        Las prestaciones de las memorias PROM son
        similares a las anteriores, con la única
        salvedad del proceso de programación. La
        escritura de la memoria PROM tiene lugar fundiendo los
        fusibles necesarios por lo que la memoria PROM solo
        puede ser programada una vez. Ahora la hace el usuario
        usando un equipo programador y, además, se rompe
        con la dependencia de la fábrica y los enormes
        costes de las máscaras.

        MÉTODO DE PROGRAMACIÓN DE
        LA MEMORIA PROM

        Para conseguir que la información que
        se desea grabar sea inalterable, se utilizan dos
        técnicas: por destrucción de fusible o
        por destrucción de unión.

        La idea es básicamente la misma que las
        ideas ROM convencionales, pero en este caso todas las
        celdas tienen diodos, por lo cual la memoria viene
        programada de fábrica con todos 1. Cada diodo
        tiene conectado un fusible, cuya funcionalidad es
        similar a la que podemos ver en fuentes de alimentación o
        estabilizadores de tensión: cuando se produce
        una sobretensión, el fusible se quema y, por lo
        tanto, el circuito se abre. De esta manera, el diodo
        pierde contacto con el mundo exterior y el lector de
        memoria nunca sabe de su existencia, así que a
        esa celda la interpreta como un cero. Por lo tanto para
        programar un chip de memoria PROM; con un dispositivo
        llamado programador (por cierto, un nombre muy original
        xD), se les aplica a las celdas correspondientes una
        tensión superior a la que son capaces de
        soportar los fusibles, y así quedan definidos
        todos los bits de la memoria en cuestión. Como
        podemos ver, este tipo de memorias tiene una falencia:
        no pueden ser reprogramadas.

        Para ver los gráficos seleccione la
        opción "Descargar" del menú
        superior

        La pastilla es insertada en un dispositivo que
        genera en las salidas de la ROM (usadas como entradas)
        los valores lógicos de cada palabra. Para cada
        posición, se genera un pulso de hasta 30V por la
        entrada Vpp=Vcc, que produce una circulación de
        corrientes que funden delgadas conexiones fusibles en
        serie con diodos o transistores que se quiere
        desconectar. Así se obtienen los ceros que deben
        resultar en las salidas, dado que el chip "virgen"
        viene con todos los diodos conectados. Este proceso
        dura pocos minutos.

        El proceso de programación de una
        PROM generalmente se realiza con un equipo
        especial llamado quemador. Este equipo emplea un
        mecanismo de interruptores electrónicos
        controlados por software que permiten cargar las
        direcciones, los datos y genera los pulsos para fundir
        los fusibles del arreglo interno de la memoria. En la
        figura se indica de forma esquemática la
        función del programador.

        Para ver el gráfico
        seleccione la opción "Descargar" del menú
        superior

        Programación de un
        PROM

        ARQUITECTURA DE LA
        PROM

        Estructura básica de un PLD

        Un dispositivo programable por el usuario es
        aquel que contiene una arquitectura general pre-definida en la
        que el usuario puede programar el diseño final
        del dispositivo empleando un conjunto de herramientas de desarrollo. Las arquitecturas generales
        pueden variar pero normalmente consisten en una o
        más matrices de puertas AND y OR para
        implementar funciones lógicas. Muchos
        dispositivos también contienen combinaciones de
        flip-flops y latches que pueden usarse como elementos
        de almacenaje para entrada y salida de un dispositivo.
        Los dispositivos más complejos contienen
        macrocélulas. Las macrocélulas permiten
        al usuario configurar el tipo de entradas y salidas
        necesarias en el diseño

        Para
        ver el gráfico seleccione la opción
        "Descargar" del menú superior
        Las PROM son memorias programables de sólo
        lectura. Aunque el nombre no implica la lógica
        programable, las PROM, son de hecho lógicas. La
        arquitectura de la mayoría de las PROM consiste
        generalmente en un número fijo de
        términos AND que alimenta una matriz programable OR. Se usan
        principalmente para decodificar las combinaciones de
        entrada en funciones de salida.

        1. Las Aplicaciones más
          importantes:
        2. Microprogramación
        3. Librería de subrutinas
        4. Programas de sistema
        5. Tablas de función
      3. MEMORIA PROM (PROGRAMMABLE READ ONLY
        MEMORIES)

        Las EPROM, o Memorias sólo de Lectura
        Reprogramables, se programan mediante impulsos
        eléctricos y su contenido se borra
        exponiéndolas a la luz ultravioleta (de
        ahí la ventanita que suelen incorporar este tipo
        de circuitos), de manera tal que estos rayos atraen los
        elementos fotosensibles, modificando su
        estado.

        Para ver el gráfico
        seleccione la opción "Descargar" del menú
        superior

        – Vista de la Ventanita de
        una EPROM –

        PROGRAMACIÓN DE UNA MEMORIA
        EPROM

        Las EPROM se programan insertando el chip en
        un programador de EPROM. y aplicando en un pin
        especial de la memoria una tensión entre 10 y 25
        Voltios durante aproximadamente 50 ms,
        según el dispositivo, al mismo tiempo se
        direcciona la posición de memoria y se pone la
        información a las entradas de datos. Este
        proceso puede tardar varios minutos dependiendo de la
        capacidad de memoria.

        La memoria EPROM, se compone de un
        arreglo de transistores MOSFET de Canal N
        de compuerta aislada. En la figura se observa el
        transistor funcionando como celda de memoria en una
        EPROM.

        Para ver el gráfico
        seleccione la opción "Descargar" del menú
        superior

        Celda de memoria de una
        EPROM

        Cada transistor tiene una compuerta flotante
        de SiO2 (sin conexión
        eléctrica) que en estado normal se encuentra
        apagado y almacena un 1 lógico. Durante
        la programación, al aplicar una tensión
        (10 a 25V) la región de la compuerta queda
        cargada eléctricamente, haciendo que el
        transistor se encienda, almacenando de esta forma un
        0 lógico. Este dato queda almacenado de
        forma permanente, sin necesidad de mantener la
        tensión en la compuerta ya que la carga
        eléctrica en la compuerta puede permanecer por
        un período aproximado de 10
        años.

        Las EPROMs también emplean transistores
        de puerta dual o FAMOS (Floating Gate
        Avalanche-Injection Metal-Oxide Semiconductor) de
        cargas almacenadas.

        Estos transistores son similares a los
        transistores de efecto de campo (FETs) canal-P, pero
        tienen dos compuertas. La compuerta interior o flotante
        esta completamente rodeada por una capa aislante de
        dióxido de silicio; la compuerta superior o
        compuerta de control es la efectivamente conectada a la
        circuitería externa.

        Inicialmente, la puerta flotante esta
        descargada, y el transistor se comporta como un
        transistor MOS normal. No obstante, mediante un equipo
        programador, se puede acumular carga en la puerta
        flotante aplicando una sobre tensión a la puerta
        y al drenador del transistor. Esta acumulación
        de electrones en la segunda puerta tiene el efecto de
        aumentar la umbral del transistor a un valor tal que no
        conduce aunque se direccione la celda. Así pues
        la cantidad de carga eléctrica almacenada sobre
        la compuerta flotante determina que el bit de la celda
        contenga un 1 o un 0;

        las celdas cargadas son leídas como un
        0, mientras que las que no lo están son
        leídas como un 1. Tal como las EPROMs
        salen de la fábrica, todas las celdas se
        encuentran descargadas, por lo cual el bit asociado es
        un 1; de ahí que una EPROM virgen
        presente el valor hexadecimal FF en todas sus
        direcciones.

        Para ver el gráfico
        seleccione la opción "Descargar" del menú
        superior

        Cuando un dado bit de una celda debe ser
        cambiado o programado de un 1 a un 0, se hace pasar una
        corriente a través del canal de transistor desde
        la fuente hacia la compuerta (obviamente, los
        electrones siguen el camino inverso). Al mismo tiempo
        se aplica una relativamente alta tensión sobre
        la compuerta superior o de control del transistor,
        creándose de esta manera un campo
        eléctrico fuerte dentro de las capas del
        material semiconductor.

        Ante la presencia de este campo
        eléctrico fuerte, algunos de los electrones que
        pasan el canal fuente-compuerta ganan suficiente
        energía como para formar un túnel y
        atravesar la capa aislante que normalmente aísla
        la compuerta flotante. En la medida que estos
        electrones se acumulan en la compuerta flotante, dicha
        compuerta toma carga negativa, lo que finalmente
        produce que la celda tenga un 0.

        Funcionamiento
        de una EPROM

        Recordemos que son memorias de acceso
        aleatorio, generalmente leídas y eventualmente
        borradas y reescritas.

        Una vez grabada una EPROM con la
        información pertinente, por medio de un
        dispositivo especial que se explicará luego, la
        misma es instalada en el sistema correspondiente donde
        efectivamente será utilizada como dispositivo de
        lectura solamente. Eventualmente, ante la necesidad de
        realizar alguna modificación en la
        información contenida o bien para ser utilizada
        en otra aplicación, la EPROM es retirada del
        sistema, borrada mediante la exposición a luz ultravioleta con
        una longitud de onda de 2537 Angstroms (unidad de
        longitud por la cual 1 A = 10-10 m),
        programada con los nuevos datos, y vuelta a instalar
        para volver a comportarse como una memoria de lectura
        solamente. Por esa exposición para su borrado es
        que es encapsulada con una ventana transparente de
        cuarzo sobre la pastilla o "die" de la
        EPROM.

        Es atinente aclarar que una EPROM no puede ser
        borrada parcial o selectivamente; de ahí que por
        más pequeña que fuese la eventual
        modificación a realizar en su contenido,
        inevitablemente se deberá borrar y reprogramar
        en su totalidad.

        Los tiempos medios de borrado de una EPROM, por
        exposición a la luz ultravioleta, oscilan entre
        10 y 30 minutos.

        Con el advenimiento de las nuevas
        tecnologías para la fabricación de
        circuitos integrados, se pueden emplear métodos eléctricos de
        borrado. Estas ROM pueden ser borradas sin necesidad de
        extraerlas de la tarjeta del circuito. Además de
        EAPROM suelen ser denominadas RMM (Read Mostly
        Memories), memorias de casi-siempre lectura, ya que no
        suelen modificarse casi nunca, pues los tiempos de
        escritura son significativamente mayores que los de
        lectura.

        Las memorias de sólo lectura presentan
        un esquema de direccionamiento similar al de las
        memorias RAM. El microprocesador no puede cambiar el
        contenido de la memoria ROM.

        Entre las aplicaciones generales que
        involucran a las EPROM debemos destacar las de manejo
        de sistemas microcontrolados. Todo sistema
        microcontrolado y/o microprocesado (se trate de una
        computadora personal o de una máquina
        expendedora de boletos para el autotransporte…) nos
        encontraremos con cierta cantidad de memoria
        programable por el usuario (la RAM), usualmente en la
        forma de dispositivos semiconductores contenidos en un
        circuito integrado (no olvidemos que un relay biestable
        o un flip-flop también son medios de
        almacenamiento de información).

        Estos dispositivos semiconductores integrados
        están generalmente construidos en
        tecnología MOS (Metal-Oxide Semiconductor,
        Semiconductor de Oxido Metálico) o -más
        recientemente- CMOS (Complementary Metal-Oxide
        Semiconducto o Semiconductor de Oxido Metálico
        Complementario). Lamentablemente, estos dispositivos
        RAM adolecen de un ligero inconveniente, que es, como
        ya se ha comentado, su volatibilidad.

        Dado que cualquier sistema microprocesado
        requiere de al menos un mínimo de memoria no
        volátil donde almacenar ya sea un sistema
        operativo, un programa de aplicación, un
        lenguaje intérprete, o una simple
        rutina de "upload", es necesario utilizar un
        dispositivo que preserve su información de
        manera al menos semi-permanente. Y aquí es donde
        comienzan a brillar las EPROMs.

         Tal como mencionáramos
        anteriormente, el proceso de borrado de los datos
        contenidos en una EPROM es llevado a cabo exponiendo la
        misma a luz ultravioleta. El punto reside en que la
        misma contiene fotones (Cuantos de energía
        electromagnética) de energía
        relativamente alta. 

        La
        familia 2700

        Los dispositivos EPROM de la
        familia 2700 contienen celdas de almacenamiento de
        bits configuradas como bytes direccionables
        individualmente. Habitualmente esta organización interna suele
        denominarse como 2K x 8 para el caso de
        una 2716, 8k x 8 para una 2764,
        etc.

        Por razones de compatibilidad (tanto con
        dispositivos anteriores como con dispositivos futuros),
        la gran mayoría de las EPROMs se ajustan a
        distribuciones de terminales o "pin-outs"
        estándar. Para el caso mas usual, que es el
        encapsulado DIP (Dual In-Line Package) de 28 pines, el
        estándar utilizado es el JEDEC-28.

        En cuanto a la programación de estos
        dispositivos (si bien conceptualmente obedece siempre a
        la metodología descripta
        anteriormente) en realidad existe una relativamente
        alta variedad de implementaciones
        prácticas.

        Si bien en la actualidad parece haberse
        uniformado razonablemente, las tensiones de
        programación varían en función
        tanto del dispositivo, como del fabricante; así
        nos encontramos con tensiones de programación
        (Vpp) de 12,5V, 13V, 21V y 25V.

        Lo mismo sucede con otros parámetros
        importantes que intervienen en el proceso de
        grabación de un EPROM, como es el caso de la
        duración de dicho pulso de programación y
        los niveles lógicos que determinan distintos
        modos de operación.

        PROGRAMADOR/
        EMULADOR DE
        FLASH EPROM

        La manera más cómoda, aunque también la
        más costosa de desarrollar circuitos
        microcontroladores consiste en simular la parte
        principal del controlador con la ayuda de un emulador.
        Una de opciones más baratas consiste en emplear
        un programa monitor junto con un emulador de
        memorias EPROM. Desafortunadamente, la mayoría
        de los programas monitores consumen algunos de los
        recursos del controlador. Esta seria
        desventaja se resuelve utilizando el emulador de
        memorias EPROM, que se comporta básicamente
        igual que una memoria
        RAM de un doble puerto: a un lado se encuentra la
        interfase, como una memoria EPROM, mientras que al otro
        lado proporciona las señales necesarias para
        introducir el flujo de datos a la memoria
        RAM.

        Cuando compañías como AMD
        desarrollaron las memorias EPROM "Flash" con una
        tensión de programación de 5V y un
        ciclo de
        vida que permitía programar la memoria hasta
        100.000 veces, se abrieron las puertas a un nuevo
        modelo de emulador de memorias EPROM. El
        diseño que se presenta no solo actúa como
        un emulador con una enorme capacidad de almacenamiento,
        sino que también funciona como un programador de
        memorias EPROM "Flash", ahorrándose comprar un
        sistema exclusivamente dedicado a programar.

        Cuando se termine de trabajar con el emulador
        durante la fase del diseño, se dispondrá
        en la memoria EPROM "Flash" del código definitivo, que se
        sacará del emulador y se introducirá en
        el circuito que se vaya a utilizar en la
        aplicación. Como los precios de las memorias EPROM "Flash" no
        son mucho mayores que los de las memorias EPROM
        convencionales, la ventaja adicional que se ha descrito
        es sin costo.

         Ejemplo de Borrador de una
        EPROM

        Fotografías de algunos borradores de
        eproms

        Para ver el gráfico
        seleccione la opción "Descargar" del menú
        superior 

      4. MEMORIA EPROM

        Para ver el gráfico
        seleccione la opción "Descargar" del menú
        superior 

         La memoria EEPROM es programable
        y borrable eléctricamente y su nombre proviene
        de la sigla en inglés Electrical Erasable
        Programmable Read Only Memory
        . Actualmente estas
        memorias se construyen con transistores de
        tecnología MOS (Metal Oxide
        Silice
        ) y MNOS (Metal Nitride-Oxide
        Silicon
        ).

        Las celdas de memoria en las EEPROM son
        similares a las celdas EPROM y la diferencia
        básica se encuentra en la capa aislante
        alrededor de cada compuesta flotante, la cual es
        más delgada y no es fotosensible.

        Las memorias EEPROM (Electrically Erasable
        Programmable Read-Only Memory
        ) son memorias no
        volátiles y eléctricamente borrables a
        nivel de bytes. La posibilidad de programar y borrar
        las memorias a nivel de bytes supone una gran
        flexibilidad, pero también una celda de memoria
        más compleja. Además del transistor de
        puerta flotante anterior, es preciso un segundo
        transistor de selección. El tener 2 transistores
        por celda hace que las memorias EEPROM sean de baja
        densidad y mayor coste. La
        programación requiere de tiempos que oscilan
        entre 157s y 625s=byte. Frente a las memorias EPROM, presenta la
        ventaja de permitir su borrado y programación en
        placa, aunque tienen mayor coste debido a sus dos
        transistores por celda.

        Estas memorias se presentan, en cuanto a
        la
        organización y asignación de
        patillas, como la UVPROM cuando están
        organizadas en palabras de 8 bits. Se programan de
        forma casi idéntica pero tienen la posibilidad
        de ser borradas eléctricamente. Esta
        característica permite que puedan ser
        programadas y borradas "en el circuito".

        Debido a que la célda elemental de este
        tipo de memorias es más complicada que sus
        equivalentes en EPROM o PROM (y por ello bastante
        más cara), este tipo de memoria no dispone en el
        mercado de una variedad tan amplia, y es
        habitual tener que acudir a fabricantes especializados
        en las mismas (ejemplo: Xicor).

        24LC256

        Para ver el gráfico
        seleccione la opción "Descargar" del menú
        superior

         En cuanto a la forma de referenciar los
        circuitos, estas memorias suelen comenzar con el
        prefijo 28, de forma que la 2864 indica una memoria
        EEPROM de 64Kbytes, equivalente en cuanto a patillaje y
        modo de operación de lectura a la UVPROM
        2764.

        Una ventaja adicional de este tipo de memorias
        radica en que no necesitan de una alta tensión
        de grabado, sirven los 5 voltios de la tensión
        de alimentación habitual.

        CE = CHIP ENABLE: Permite Activar el Circuito
        Integrado

        OE = OUTPUT ENABLE: Permite Activar La Salida
        Del Bus De
        Datos

        LECTURA

        0

        0

        1

        ESCRITURA

        0

        1

        0

        Ventajas de la EEPROM:

        La programación y el borrado pueden
        realizarse sin la necesidad de una fuente de luz UV y
        unidad programadora de PROM, además de poder hacerse en el mismo circuito
        gracias a que el mecanismo de transporte de cargas mencionado en el
        párrafo anterior requiere
        corrientes muy bajas.

        Las palabras almacenadas en memoria se pueden
        borrar de forma individual.

        Para borra la información no se
        requiere luz ultravioleta.

        Las memorias EEPROM no requieren
        programador.

        De manera individual puedes borrar y
        reprogramar eléctricamente grupos de caracteres o palabras en el
        arreglo de la memoria.

        El tiempo de borrado total se reduce a 10ms en
        circuito donde su antepasado inmediato requería
        media hora bajo luz ultravioleta externa.

        El tiempo de programación depende de un
        pulso por cada palabra de datos de 10 ms, versus los 50
        ms empleados por una ROM programable y
        borrable.

        Se pueden reescribir aproximadamente unas 1000
        veces sin que se observen problemas para almacenar la
        información.

        Para reescribir no se necesita hacer un
        borrado previo.

        Aplicaciones de las Memorias
        EEPROM

        Encontramos este tipo de memorias en aquellas
        aplicaciones en las que el usuario

        necesita almacenar de forma permanente
        algún tipo de información; por ejemplo en
        los receptores de TV o magnetoscopios para memorizar
        los ajustes o los canales de
        recepción.

         EJEMPLO DE MEMORIA EEPROM –
        28C64A

        Esta memoria tiene una capacidad de 8K X
        8
        (64 KB).

        Para ver el gráfico
        seleccione la opción "Descargar" del menú
        superior

        EEPROM 28C64A

        En la figura se indica la disposición
        de los pines de esta memoria la cual se encuentra
        disponible en dos tipos de encapsulados (DIL y
        PLCC). 

      5. MEMORIA EEPROM (ELECTRICAL ERASABLE
        PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY)
      6. MEMORIA FLASH

      Para ver el gráfico
      seleccione la opción "Descargar" del menú
      superior

      La memoria FLASH es similar a la
      EEPROM, es decir que se puede programar y borrar
      eléctricamente, son de alta densidad (gran capacidad
      de almacenamiento de bits). Alta densidad significa que se
      puede empaquetar en una pequeña superficie del chip,
      gran cantidad de celdas, lo que implica que cuanto mayor
      sea la densidad, más bits se pueden almacenar en un
      chip de tamaño determinado. Sin embargo esta
      reúne algunas de las propiedades de las memorias
      anteriormente vistas, y se caracteriza por tener alta
      capacidad para almacenar información y es de
      fabricación sencilla, lo que permite fabricar
      modelos
      de capacidad equivalente a las EPROM a menor costo
      que las EEPROM.

      ESTRUCTURA DE LA MEMORIA
      FLASH

      Para ver el gráfico
      seleccione la opción "Descargar" del menú
      superior

      Aparte de que las memorias EPROM "Flash" tienen
      una entrada de escritura, mientras están funcionando
      se comportan como las EPROM normales. La única
      diferencia se encuentra en como se cargan y se borran los
      datos en la memoria. Mientras que durante el proceso de
      programación de las memorias EPROM convencionales se
      necesita una tensión bien definida durante cierto
      intervalo de tiempo, y para borrar el componente hay que
      exponerlo a luz ultravioleta, en las E.Flash ambos procesos
      están controlados y se llevan a cabo internamente.
      Para tal efecto la memoria recibe una secuencia de comandos
      predefinida (borrar, programar) que incluye algunas
      precauciones especiales (determinadas por el fabricante)
      destinadas a evitar que se borre cualquier dato por
      error.

      El comando se transfiere a la memoria EPROM
      "Flash" mediante una serie de operaciones de escritura. Los
      dos primeros comandos "Lectura/Reset" preparan la memoria
      para operaciones de lectura. El comando
      "Autoselección" permite leer el código del
      fabricante y el tipo de dispositivo. El comando "Byte"
      carga el programa dentro de la memoria EPROM, mientras que
      "Borrar Chip" actúa durante el proceso de borrado,
      que no dura más de un minuto. Desde el punto de
      vista lógico podemos afirmar que la memoria EPROM
      "Flash" está dividida en sectores que se pueden
      borrar individualmente con la ayuda del comando "Borrar
      Sector".

      Las memorias EPROM "Flash" disponen de otro
      mecanismo, basado en la división en sectores, que
      las protege de acciones
      de escritura o lectura no deseadas. Cuando un sector
      está protegido de esta forma no se puede realizar
      una operación de lectura o sobre escritura con una
      tensión de 5V. Este hecho es muy importante y se
      debe tener siempre presente cuando se utilicen estos
      dispositivos. Solamente se puede eliminar esta
      protección con la ayuda de un programador
      especial.

      Durante el proceso de programación o
      borrado se puede leer, mediante un comando de acceso en
      "lectura", el estado de la memoria EPROM "Flash" en la
      misma posición que el byte de programado o borrado.
      Mientras se borra un sector se puede leer cualquier
      dirección que pertenezca al
      sector.

      APLICACIONES DE LA MEMORIA
      FLASH

      La Memoria Flash es ideal para docenas de
      aplicaciones portátiles. Tomemos como ejemplo las
      cámaras digitales. Insertando una tarjeta de Memoria
      Flash de alta capacidad directamente en la cámara,
      usted puede almacenar cientos de imágenes de alta resolución.
      Cuando este listo para bajarlas, simplemente retire la
      tarjeta y transfiérala a su computadora de
      escritorio o portátil para su procesamiento. Las
      tarjetas
      de Memoria Flash se ajustan a entradas Tipo II (con o sin
      adaptador, dependiendo del tipo de tarjeta Flash). Ahora
      esta usted listo para cargar en segundos todas las
      imágenes capturadas para observarlas, manipularlas,
      enviarlas por correo
      electrónico o imprimirlas. Ya nunca necesitara
      comprar rollos para fotografía. Sea cual sea su
      aplicación o equipo portátil.

      Actualmente, los usos de Memoria Flash se
      están incrementando rápidamente. Ya sean
      cámaras digitales, Asistentes Digitales
      Portátiles, reproductores de música digital o teléfonos
      celulares, todos necesitan una forma fácil y
      confiable de almacenar y transportar información
      vital.

      Se utilizan en la fabricación de BIOS para
      computadoras. , generalmente conocidos como FLASH-BIOS. La
      ventaja de esta tecnología es que permite

      actualizar el bios con un software proporcionado
      por el fabricante, sin necesidad de desmontar el chip del
      circuito final, ni usar aparatos especiales.
      Por esto la Memoria Flash se ha convertido en poco tiempo
      en una de las más populares tecnologías de
      almacenamiento de datos. Es más flexible que un
      diskette y puede almacenar hasta 160MB de
      información. Es más y mucho mas rápida
      que un disco
      duro, y a diferencia de la memoria RAM, la Memoria
      Flash puede retener datos aun cuando el equipo se ha
      apagado.
      La Memoria Flash es ideal para docenas de aplicaciones
      portátiles. Tomemos como ejemplo las cámaras
      digitales. Insertando una tarjeta de Memoria Flash de alta
      capacidad directamente en la cámara, usted puede
      almacenar cientos de imágenes de alta
      resolución. Cuando este listo para bajarlas,
      simplemente retire la tarjeta y transfiérala a su
      computadora de escritorio o portátil para su
      procesamiento. Las tarjetas de Memoria Flash se ajustan a
      entradas Tipo II (con o sin adaptador, dependiendo del tipo
      de tarjeta Flash). Ahora esta usted listo para cargar en
      segundos todas las imágenes capturadas para
      observarlas, manipularlas, enviarlas por correo
      electrónico o imprimirlas. Ya nunca necesitara
      comprar rollos para fotografía.

      EJEMPLO DE MEMORIA FLASH –
      27F256

      La capacidad de esta memoria es de 32K X 8 y como
      memoria Flash tiene la característica
      particular de ser borrada en un tiempo muy corto (1 seg.).
      El tiempo de programación por byte es de 100 ms y el
      tiempo de retención de la información es de
      aproximadamente 10 años.

      Para ver el gráfico
      seleccione la opción "Descargar" del menú
      superior

      Memoria Flash
      27F256

      En la figura se indica la disposición de
      los pines de esta memoria con sus características
      técnicas básicas.

      DIFERENCIA ENTRE MEMORIAS EEPROM Y EPROM
      FLASH

      La diferencia de las memorias flash con las EEPROM
      reside en su velocidad: Son más rápidas en
      términos de programación y borrado, aunque
      también necesitan de una tensión de grabado
      del orden de 12 voltios.

      Otra diferencia la encontramos en que en las
      EEPROM se puede borrar de forma

      selectiva cualquier byte, mientras que en las
      memorias FLASH sólo admite el borrado total de la
      misma.

      Por otra parte esta memorias son bastante
      más baratas que las EEPROM, debido a que utilizan
      una tecnología más sencilla y se fabrican con
      grandes capacidades de

      almacenamiento. Un dato puede ser significativo:
      el tiempo de borrado de un byte es del orden de 100
      seg.

      TABLA COMPARATIVA ENTRE
      MEMORIAS

    3. MEMORIAS
      PROGRAMABLES
    4. RESUMEN

    MEMORIAS PROGRAMABLES

    MEMORIA ROM (READ ONLY
    MEMORY)

    Es una memoria de sólo lectura que se
    programan mediante máscaras. Es decir, el contenido
    de las celdas de memoria se almacena durante el proceso de
    fabricación para mantenerse después de forma
    irrevocable. Desde el instante en que el fabricante grabo
    las instrucciones en el Chip, por lo tanto la escritura de
    este tipo de memorias ocurre una sola vez y queda grabado
    su contenido aunque se le retire la
    energía.

    Se usa para almacenar información vital
    para el funcionamiento del sistema: en la
    gestión del proceso de arranque, el chequeo inicial
    del sistema, carga del sistema operativo y diversas rutinas
    de control de dispositivos de entrada/salida suelen ser las
    tareas encargadas a los programas grabados en ROM. Estos
    programas forman la llamada BIOS (Basic Input Output
    System). Junto a la BIOS se encuentra el chip de CMOS donde
    se almacenan los valores que determinan la
    configuración hardware del sistema, como tipos de
    unidades, parámetros de los discos duros, fecha y
    hora del sistema… esta información no se pierde al
    apagar la computadora. Estos valores se pueden modificar
    por medio del SETUP.
     

    La ventaja de tener los programas fundamentales
    del computador almacenados en la ROM es que están
    allí implementados en el interior del computador y
    no hay necesidad de cargarlos en la memoria desde el disco
    de la misma forma en que se carga el DOS. Debido a que
    están siempre residentes, los programas en ROM son
    muy a menudo los cimientos sobre los que se construye el
    resto de los programas (incluyendo el DOS).

     Una ROM puede estar fabricada tanto en
    tecnología bipolar como MOS.

    MEMORIA PROM (PROGRAMMABLE READ ONLY
    MEMORIES)

    En la PROM (programable ROM), o memoria
    programable de sólo lectura los contenidos pueden
    ser leídos pero no modificados por un programa de
    usuario. Sus contenidos no se construyen, como la ROM,
    directamente en el procesador cuando éste se
    fabrica, sino que se crean por medio de un tipo especial
    "programación", ya sea por el fabricante, o por
    especialistas técnicos de programación del
    usuario. El proceso de programación es destructivo:
    una vez grabada, es como si fuese una ROM
    normal.

    Las operaciones muy importantes o largas que se
    habían estado ejecutando mediante programas, se
    pueden convertir en microprogramas y grabarse
    permanentemente en una pastilla de memoria programable
    sólo de lectura. Una vez que están en forma
    de circuitos electrónicos, estas tareas se pueden
    realizar casi siempre en una fracción del tiempo que
    requerían antes. La flexibilidad adicional que se
    obtiene con la PROM puede convertirse en una desventaja si
    en la unidad PROM se programa un error que no se puede
    corregir. Para superar esta desventaja, se
    desarrolló la EPROM, o memoria de solo lectura
    reprográmale.

    Para conseguir que la información que se
    desea grabar sea inalterable, se utilizan dos
    técnicas: por destrucción de fusible o por
    destrucción de unión.

    El proceso de programación de una
    PROM generalmente se realiza con un equipo especial
    llamado quemador. Este equipo emplea un mecanismo de
    interruptores electrónicos controlados por software
    que permiten cargar las direcciones, los datos y genera los
    pulsos para fundir los fusibles del arreglo interno de la
    memoria. En la figura se indica de forma esquemática
    la función del programador.

    1. Las Aplicaciones más
      importantes:
    2. Microprogramación
    3. Librería de subrutinas
    4. Programas de sistema
    5. Tablas de función

    MEMORIA EPROM

    Las EPROM, o Memorias sólo de Lectura
    Reprogramables, se programan mediante impulsos
    eléctricos y su contenido se borra
    exponiéndolas a la luz ultravioleta (de ahí la
    ventanita que suelen incorporar este tipo de circuitos), de
    manera tal que estos rayos atraen los elementos
    fotosensibles, modificando su estado.

    Las EPROM se programan insertando el chip en un
    programador de EPROM. y aplicando en un pin especial
    de la memoria una tensión entre 10 y 25 Voltios
    durante aproximadamente 50 ms, según el
    dispositivo, al mismo tiempo se direcciona la posición
    de memoria y se pone la información a las entradas de
    datos. Este proceso puede tardar varios minutos dependiendo
    de la capacidad de memoria.

    Cuando un dado bit de una celda debe ser cambiado o
    programado de un 1 a un 0, se hace pasar una corriente a
    través del canal de transistor desde la fuente hacia la
    compuerta (obviamente, los electrones siguen el camino
    inverso). Al mismo tiempo se aplica una relativamente alta
    tensión sobre la compuerta superior o de control del
    transistor, creándose de esta manera un campo
    eléctrico fuerte dentro de las capas del material
    semiconductor.

    Ante la presencia de este campo eléctrico
    fuerte, algunos de los electrones que pasan el canal
    fuente-compuerta ganan suficiente energía como para
    formar un túnel y atravesar la capa aislante que
    normalmente aísla la compuerta flotante. En la medida
    que estos electrones se acumulan en la compuerta flotante,
    dicha compuerta toma carga negativa, lo que finalmente produce
    que la celda tenga un 0.

    Los tiempos medios de borrado de una EPROM, por
    exposición a la luz ultravioleta, oscilan entre 10 y 30
    minutos.

    Tal como mencionáramos anteriormente, el
    proceso de borrado de los datos contenidos en una EPROM es
    llevado a cabo exponiendo la misma a luz ultravioleta. El punto
    reside en que la misma contiene fotones (Cuantos de
    energía electromagnética) de energía
    relativamente alta. 

    MEMORIA EEPROM (ELECTRICAL ERASABLE PROGRAMMABLE
    READ ONLY MEMORY)

    La memoria EEPROM es programable y borrable
    eléctricamente y su nombre proviene de la sigla en
    inglés Electrical Erasable Programmable Read Only
    Memory
    . Actualmente estas memorias se construyen con
    transistores de tecnología MOS (Metal Oxide
    Silice
    ) y MNOS (Metal Nitride-Oxide
    Silicon
    ).

    Las celdas de memoria en las EEPROM son
    similares a las celdas EPROM y la diferencia
    básica se encuentra en la capa aislante alrededor de
    cada compuesta flotante, la cual es más delgada y no
    es fotosensible.

    Las memorias EEPROM (Electrically Erasable
    Programmable Read-Only Memory
    ) son memorias no
    volátiles y eléctricamente borrables a nivel de
    bytes. La posibilidad de programar y borrar las memorias a
    nivel de bytes supone una gran flexibilidad, pero
    también una celda de memoria más compleja.
    Además del transistor de puerta flotante anterior, es
    preciso un segundo transistor de selección. El tener 2
    transistores por celda hace que las memorias EEPROM sean de
    baja densidad y mayor coste. La programación requiere
    de tiempos que oscilan entre 157s y 625s=byte. Frente a las memorias EPROM,
    presenta la ventaja de permitir su borrado y
    programación en placa, aunque tienen mayor coste
    debido a sus dos transistores por celda.

    Una ventaja adicional de este tipo de memorias
    radica en que no necesitan de una alta tensión de
    grabado, sirven los 5 voltios de la tensión de
    alimentación habitual.

    LECTURA

    0

    0

    1

    ESCRITURA

    0

    1

    0

    Ventajas de la
    EEPROM:

    Las palabras almacenadas en memoria se pueden borrar
    de forma individual.

    Para borra la información no se requiere luz
    ultravioleta.

    Las memorias EEPROM no requieren
    programador.

    De manera individual puedes borrar y reprogramar
    eléctricamente grupos de caracteres o palabras en el
    arreglo de la memoria.

    Para reescribir no se necesita hacer un borrado
    previo.

    MEMORIA FLASH

    La memoria FLASH es similar a la EEPROM,
    es decir que se puede programar y borrar eléctricamente,
    son de alta densidad (gran capacidad de almacenamiento de
    bits). Alta densidad significa que se puede empaquetar en una
    pequeña superficie del chip, gran cantidad de celdas, lo
    que implica que cuanto mayor sea la densidad, más bits
    se pueden almacenar en un chip de tamaño determinado.
    Sin embargo esta reúne algunas de las propiedades de las
    memorias anteriormente vistas, y se caracteriza por tener alta
    capacidad para almacenar información y es de
    fabricación sencilla, lo que permite fabricar modelos de
    capacidad equivalente a las EPROM a menor costo que las
    EEPROM.

    Aparte de que las memorias EPROM "Flash" tienen una
    entrada de escritura, mientras están funcionando se
    comportan como las EPROM normales. La única diferencia
    se encuentra en como se cargan y se borran los datos en la
    memoria. Mientras que durante el proceso de programación
    de las memorias EPROM convencionales se necesita una
    tensión bien definida durante cierto intervalo de
    tiempo, y para borrar el componente hay que exponerlo a luz
    ultravioleta, en las E.Flash ambos procesos están
    controlados y se llevan a cabo internamente. Para tal efecto la
    memoria recibe una secuencia de comandos predefinida (borrar,
    programar) que incluye algunas precauciones especiales
    (determinadas por el fabricante) destinadas a evitar que se
    borre cualquier dato por error.

    Durante el proceso de programación o borrado se
    puede leer, mediante un comando de acceso en "lectura", el
    estado de la memoria EPROM "Flash" en la misma posición
    que el byte de programado o borrado. Mientras se borra un
    sector se puede leer cualquier dirección que pertenezca
    al sector.

    APLICACIONES DE LA MEMORIA
    FLASH

    La Memoria Flash es ideal para docenas de aplicaciones
    portátiles. Tomemos como ejemplo las cámaras
    digitales. Insertando una tarjeta de Memoria Flash de alta
    capacidad directamente en la cámara, usted puede
    almacenar cientos de imágenes de alta resolución.
    Cuando este listo para bajarlas, simplemente retire la tarjeta
    y transfiérala a su computadora de escritorio o
    portátil para su procesamiento. Las tarjetas de Memoria
    Flash se ajustan a entradas Tipo II (con o sin adaptador,
    dependiendo del tipo de tarjeta Flash). Ahora esta usted listo
    para cargar en segundos todas las imágenes capturadas
    para observarlas, manipularlas, enviarlas por correo
    electrónico o imprimirlas. Ya nunca necesitara comprar
    rollos para fotografía. Sea cual sea su
    aplicación o equipo portátil.

    Actualmente, los usos de Memoria Flash se están
    incrementando rápidamente. Ya sean cámaras
    digitales, Asistentes Digitales Portátiles,
    reproductores de música digital o teléfonos
    celulares, todos necesitan una forma fácil y confiable
    de almacenar y transportar información vital.
     

    TABLA COMPARATIVA ENTRE
    MEMORIAS

    1. BIBLIOGRAFÍA


    http://www.virtual.unal.edu.co/cursos/ingenieria/2000477/lecciones/100301.htm


    http://www.virtual.unal.edu.co/cursos/ingenieria/2000477/lecciones/100501.htm

    http://www.monografias.com/trabajos12/mosscur/mosscur


    http://www.zona-warez.com/tutoriales-ingenieria_electrica.html


    http://webdiee.cem.itesm.mx/web/servicios/archivo/manuales/micro8051.pdf

    http://cactus.fi.uba.ar/crypto/tps/tarje.pdf


    http://electronred.iespana.es/electronred/Circuitosintegra.htm

    César Arroyo Cabrera

    Estudiante de Informática de la Universidad
    Nacional de Trujillo en Perú

    Nota al lector: es posible que esta página no contenga todos los componentes del trabajo original (pies de página, avanzadas formulas matemáticas, esquemas o tablas complejas, etc.). Recuerde que para ver el trabajo en su versión original completa, puede descargarlo desde el menú superior.

    Todos los documentos disponibles en este sitio expresan los puntos de vista de sus respectivos autores y no de Monografias.com. El objetivo de Monografias.com es poner el conocimiento a disposición de toda su comunidad. Queda bajo la responsabilidad de cada lector el eventual uso que se le de a esta información. Asimismo, es obligatoria la cita del autor del contenido y de Monografias.com como fuentes de información.

    Categorias
    Newsletter