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Diodo




Enviado por Dianna



Partes: 1, 2

    1. Diodo pn o Unión
      pn
    2. Polarización
      inversa
    3. Diodo
      Zener
    4. Fuente de
      alimentación
    5. Fuentes de
      alimentación continuas
    6. Fuentes de
      alimentación alternas

    Un diodo es un dispositivo que permite el paso de
    la corriente eléctrica en una
    única dirección. De forma simplificada, la curva
    característica de un diodo (I-V) consta de dos regiones,
    por debajo de cierta diferencia de
    potencial, se comporta como un circuito abierto (no
    conduce), y por encima de ella como un circuito cerrado con muy
    pequeña resistencia
    eléctrica. Debido a este comportamiento, se les suele denominar
    rectificadores, ya que son dispositivos
    capaces de convertir una corriente alterna
    en corriente continua.

    Diodo pn o
    Unión pn

    Los diodos pn
    son uniones de dos materiales semiconductores
    extrínsecos tipos p y n, por lo que también
    reciben la denominación de unión
    pn
    . Hay que destacar que el número de
    electrones y protones es el mismo, de lo que podemos decir que
    los dos cristales, tanto el p como el n, son neutros.

    Formación de la zona de carga espacial

    Al establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas
    en una zona a ambos lados de la unión, zona que recibe
    diferentes denominaciones como zona de carga espacial,
    de agotamiento, de deplexión, de
    vaciado
    , etc.

    A medida que progresa el proceso de
    difusión, la zona de carga espacial va incrementando su
    anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la
    unión. Sin embargo, la acumulación de iones
    positivos en la zona n y de iones negativos en la zona p, crea un
    campo
    eléctrico (E) que actuará sobre los electrones
    libres de la zona n con una determinada fuerza de
    desplazamiento
    , que se opondrá a la corriente de
    electrones y terminará deteniéndolos. Este campo
    eléctrico es equivalente a decir que aparece una
    diferencia de tensión entre las zonas p y n. Esta
    diferencia de potencial (V0) es de 0,7
    V en el caso del silicio
    y 0,3 V si los cristales son de
    germanio.

     

    Partes: 1, 2

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