Memorias de PC

Módulo
DDR

Las memorias DDR (en todos sus variantes) están
basadas en SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory o
Memoria Dinámica de Acceso Aleatorio con una interfaz
Sincrónica). Expresándolo en forma sencilla,
significa que estas memorias utilizan una señal
sincrónica (clock signal) para transmitir los datos. Al
ser aleatoria el tiempo de acceso a la mismo es igual para
cualquier posición de memoria.

Los módulos de memoria DDR-SDRAM son del mismo
tamaño que los DIMM de SDRAM, pero con
más conectores: 184 pines en lugar de los 168 de la SDRAM
normal. Los módulos DDRs soportan una capacidad
máxima de 1GB.

DDR son las iniciales de Double Data
Rate, que se refiere a la capacidad de transmitir dos bloques
de datos por cada pulso de reloj (debajo habrá un
gráfico explicativo). De esta forma pueden transmitir el
doble de información que una memoria SDRAM simple al mismo
tiempo, doblando así el nivel de performance. Por tal
motivo estas memorias son etiquetadas con el doble de la
frecuencia de la señal a la que realmente operan. Por
ejemplo las memorias DDR2-800 realmente trabajan a 400 MHz, las
DDR3- 1066 a 533 MHz y así con todas las
variantes. 

figura 1.Diagramas de clock y
transferencia de datos . Comparación entre SDR y
DDR

En estos gráficos podemos observar
simplificadamente como se transmiten dos bloques de datos por
cada ciclo completo de la señal. 

Cuestión
de las nomenclaturas 

La nomenclatura definida por DDRx –
yyyy (donde x determina la generación de
tecnología DDR utilizada e yyyy se refiere a la frecuencia
DDR de trabajo) en teoría se utiliza para denominar a los
chips de memoria. Los módulos de memoria (circuito
integrado donde los chips van soldados) utilizan una nomenclatura
diferente: PCx – zzzz (donde x
también se refiere la generación de
tecnología DDR utilizada y zzzz es la máxima tasa
de transmisión de datos que en teoría se puede
alcanzar - Maximum theoretical transfer
rate). 

figura 2: Módulos
DDR

También se utiliza la nomenclatura PC1600 a
PC4800, ya que pueden transferir un volumen de información
de 8 bytes en cada ciclo de reloj a las frecuencias
descritas.

Maximum
theoretical transfer rate o Máxima tasa teórica de
transferencia de datos 

Si bien la traducción al español no queda
tan bien, es un valor de referencia que determina la cantidad de
bytes que pueden ser transmitidos por segundo entre el
módulo de memoria y el controlador. Esta tasa depende de
dos factores:

• La frecuencia de trabajo .

• El ancho del bus por el cual se transmiten los
  datos.

En este caso siempre se utiliza un bus de 64 bits entre
el módulo de memoria y el controlador. La cuenta es la
siguiente:

MTTR=  (DDR frecuency) x ( ancho
del bus) / 8.

  Actualmente se utilizan ambas nomenclaturas
indistintamente. Por ejemplo tenemos un módulo DDR-400 o
PC-3200, entonces:

MTTR= (400MHz)x( 64 bits) / 8 = 3200
MB/seg

Entonces: DDR3- 1333 es igual a PC3 –
10600

Diferencias Físicas 

Existe otras generaciones de memorias DDR, es importante
diferenciarlas físicamente y conocer sus distintas
características.

Figura 3. Diferencias de ranuras entre
distintos tipos de memorias RAM DDR

Un "módulo de memoria" es un circuito integrado
que contiene los chips de memoria. Todos los módulos de
una misma generación DDR presentan características
físicas similares entre sí, pero son distintos a
las otras generaciones (no son compatibles). Por ejemplo no es
posible instalar un modulo DDR2 en un socket para DDR3. Hay pocas
(muy pocas) motherboards que soportan por ejemplo DDR2 y DDR3 a
la vez, generalmente si se quiere cambiar de tecnología
habrá que cambiar la placa entera.

 El módulo DDR tiene una conexión de
184 pines mientras que tanto un DDR2 como un DDR3 tienen 240
pines pero difieren físicamente por la posición una
muesca ubicada en la parte inferior (key notch). (Ver figura
3)

Todos los chips de los módulos DDR2 y DDR3
generalmente vienen empaquetados de una forma que se la conoce
como BGA (Ball Grid Array) mientras que los chips DDR vienen en
forma TSOP (Thin Small-Outline Package).

figura 4. Distintas formas de
encapsulados para DDR2 y DDR3

Módulo
DDR2

figura 5. Módulo DDR2

DDR2 SDRAM[1]mejora de la
señalización y el uso diferencial más bajo
voltajes para apoyar a la ejecución del ventajas sobre DDR
SDRAM. La señalización diferencial requiere
más contactos, por lo que el número de contactos en
un módulo de memoria DDR SDRAM DIMM se elevó de 184
a 240.

La tensión de DDR SDRAM DIMM se redujo de 2.5V a
1.8V. Esto mejora el consumo de energía y la
reducción de la generación de calor, como
así también el aumento de la densidad de memoria
para configuraciones de mayor capacidad. 

DDR3

 figura 5. Módulo
DDR3

El módulo DDR3 SDRAM (Double Data Rate
Synchronous Dynamic es la 3º versión de la memoria de
acceso aleatorio siendo la tercera generación de SDRAM
DDR.

El módulo DDR3 SDRAM mejoró en varias
maneras significativas:

• Superior ancho de banda debido a la mayor tasa de
  reloj(Velocidad).

• La reducción de consumo de energía
  .

• Se duplicó a 8 bits para aumentar el
  rendimiento.

La tensión del módulo de DDR3 SDRAM DIMM
se redujo de 1.8V a 1.5V. Esto redujo el consumo de
energía y la generación de calor, así como
una mayor densidad de memoria para configuraciones de mayor
capacidad. 

Sintetizando:

• Velocidad  Obviamente una de las
  principales diferencias es la velocidad para cada tipo de
  módulos. Quizás hablando correctamente el
  término "velocidad" no es el más adecuado, sino
  que es más preciso hablar de "mayor volumen de datos
  transmitido por unidad de tiempo". Podemos afirmar que con la
  evolución de DDR en DDR2 y posteriormente en DDR3,
  estos valores fueron creciendo posibilitando así que
  una mayor cantidad de información pueda ser
  transmitida en menos tiempo. Con el avance de la
  tecnología fue posible que los módulos trabajen
  a frecuencias mayores e incluso transmitan mayores cantidades
  de datos por pulso. (hablaremos más profundamente de
  esto cuando toquemos el tema de latencias). Para comparar
  mejor las diferencias nos podemos remitir a la sección
  donde hablamos del "Maximum theoretical transfer
  rate.

• Voltajes  Los módulos de memoria
  DDR3 operan a voltajes menores que DDR2, quienes a su vez
  funcionan a voltajes menores que los módulos DDR. Esto
  también deriva en que la tecnología DDR3
  consume menos energía que DDR2 y esta a su vez menos
  que DDR.

  A continuación , en la tabla 1, se puede
observar los voltajes típicos de cada tipo de
módulos.

Tabla 1. Valores de voltajes para cada
módulo DDR.

• Latencias – RAM Timings 

Antes de comenzar a hablar de las conocidas latencias se
debe mencionar que esta sea quizás una
característica por la cual preocuparse a la hora de armar
una PC de alto rendimiento (llámese
high-end[2]o gamer[3]Cabe aclarar
que cuando hablamos de latencias nos referimos a tiempos en el
orden de los nanosegundos (la mil millonésima parte de un
segundo).

Dentro de las memorias de buena marca, trabajando a
iguales frecuencias la característica distintiva y crucial
en el rendimiento son las latencias. Debido a las latencias, dos
memorias con una tasa de transferencia de datos idéntica
pueden alcanzar performances distintas.

Las latencias en si son intervalos de tiempo que miden
cuánto tarda el módulo de memoria en realizar
alguna operación interna determinada. Para explicarnos
mejor tomemos como ejemplo el parámetro más
conocido llamado CAS Latency (también llamado CL o Access
time). Esté valor nos indica cuantos ciclos de reloj
demandará el módulo para entregar un dato
peticionado por la CPU. Entonces una memoria con CL 4
demorará cuatro ciclos de reloj para recuperar un dato
mientras que una con CL 3 demorara tres ciclos. Asumiendo que
ambas trabajan a la misma frecuencia evidentemente el
módulo con CL 3 será más rápido,
porque le tomará menos tiempo realizar la operación
y en consecuencia alcanzará una performance
mayor. 

Las latencias generalmente se presentan como una serie
de números, por ejemplo 2-3-2-6-T1 o 3-4-4-8. Cada
número de esta serie representa cuantos ciclos de reloj le
tomará a la memoria realizar una operación
determinada. Obviamente cada valor representa una
operación distinta y siempre se presentan en el mismo
orden. Cuanto menor sea el número, más
rápida será la memoria en ese aspecto.

Veamos que representa cada valor. El orden es el
siguiente: CL-tRCD-tRP-tRAS-CMD. Para comprender debemos
considerar el clásico modelo de la memoria como una matriz
de filas y columnas. Un grafico para facilitar la
comprensión es el siguiente.

figura 6. Estructura de una memoria de 3D
(Filas y Columnas)

Nomenclaturas

CL: CAS Latency. Es el tiempo que transcurre
entre que el procesador hace la petición de cierto dato y
la memoria lo entrega. Es la más común y a la que
se refiere generalmente. tRCD: RAS to CAS
Delay. Es el tiempo que transcurre entre la
activación de la línea (RAS) y la columna (CAS)
donde el dato está alojado (recuerden el modelo de matriz
de filas y columnas). 

tRP: RAS Precharge. Es el tiempo que
transcurre entre que se deshabilita el acceso a una línea
de datos y comienza el acceso a una nueva
línea. 

tRAS: Active to Precharge Delay. Cuanto
tiempo la memoria debe esperar hasta que el próximo acceso
a la memoria pueda iniciarse.

 CMD: Command Rate. El tiempo que
transcurre entre que el chip de memoria es activado y el momento
en el cual el primer comando ya puede ser enviado a la memoria. A
veces este valor es omitido. En otras ocasiones puede aparecer
como T1 (1 ciclo de reloj) o T2 (2 ciclos de reloj). 
Generalmente se tienen dos opciones. Configurar el
BIOS[4]para que utilice las latencias que la
memoria tiene por defecto (SPD o Auto) o configurarlos
manualmente para usar latencias menores e intentar incrementar el
rendimiento. No todas los motherboards permiten configurar las
latencias manualmente y hacerlo en forma equivocada puede traer
inestabilidad al sistema. 

Cuando se le hace overclock a las memorias como una
posibilidad de incrementar el valor de las latencias para lograr
que el sistema corra estable. Luego es posible elevar la
frecuencia de las memorias con un mayor margen antes de alcanzar
la inestabilidad. Esta técnica permite llevar el overclock
un poco más lejos y mantenerlo estable. No está
demás decir que obviamente las memorias de marca y en
especial aquellas destinadas al overclock tienen una mayor
tolerancia y están preparadas para trabajar por encima de
sus especificaciones.

Se presentan a continuación, las tres latencias
más importantes.

CAS Latency (CL) 

Como ya se mencionó este es el parámetro
más conocido a la hora de hablar de latencias. Nos indica
cuantos ciclos de reloj demorara la memoria en entregar un dato
previamente solicitado. 

Teniendo dos memorias trabajando a la misma frecuencia
de reloj pero con un valor de CL distinto quien tenga el menor
valor será la memoria más rápida, ya que
tendrá el dato listo para ser usado en un menor tiempo.
Cabe aclarar que cuando hablamos de ciclos de reloj nos referimos
a tiempos en el orden de los nanosegundos (la mil
millonésima parte de un segundo!). Por esto reiteramos que
preocuparse por las latencias solo tiene sentido en el armado de
ordenadores de alta gama.

  En el siguiente gráfico podemos apreciar
como CL funciona. Se proporcionan dos ejemplos utilizando un
modulo de CL 3 y otro de CL 5. El comando "read" en azul
simboliza cuando se realiza la petición de lectura de un
dato. 

figura 7: Diagrama de tiempo de las
latencias CL 3 y CL 5

Podemos apreciar como la memoria de CL 3 responde a esa
petición de lectura luego de tres ciclos completos
mientras que la otra luego de 5 ciclos. Asumiendo que trabajan a
la misma frecuencia el primer modulo presenta un rendimiento un
40% mayor respecto del segundo. 

Incluso profundizamos un poco más y podemos
calcular el tiempo transcurrido hasta que la memoria tiene del
dato listo. El periodo de cada ciclo de reloj puede calcularse
fácilmente por la formula T = 1/f . 

Tomemos como ejemplo un modulo DDR2-533 que trabaja
realmente a 266 MHz (es necesario usar el clock real que siempre
es la mitad del efectivo). Aplicando la formula (1/f) obtenemos
que el periodo es 3,75 ns (nanosegundos 1ns= 0.000000001 s).
Entonces tenemos que esta memoria tardaría 18.75 ns (5 x
3.75) si fuera CL 5 o 11.25 ns (3 x 3.75) si fuera CL
3. 

RAS to CAS Delay (tRCD) 

Cada chip de memoria esta internamente organizado como
una matriz. En la intersección de cada fila y columna
tenemos un pequeño capacitor encargado de almacenar un
dato (un 1 o un 0). Dentro de la memoria el proceso de acceder a
los datos almacenados consiste en activar la fila y la columna
donde el dato buscado se encuentra. Esta activación es
realizada a través de dos señales de control
llamadas RAS (Row Address Strobe) y CAS (Column Address Strobe).
Cuanto menor tiempo transcurre entre estas señales es
mejor, ya que el dato va a ser leído más
rápidamente. RAS to CAS Delay (tRCD) mide este tiempo. A
continuación podemos ver un gráfico de una memoria
con tRCD 3. 

figura 8. Secuencias de comandos RAS y
CAS

Al igual que ocurre con el CAS, tRCD trabaja con el
clock real de la memoria y cuanto más bajo es mejor, ya
que se va a comenzar a leer o escribir en la posición de
memoria antes. 

RAS Precharge (tRP)

Luego de que un dato es recuperado de la memoria, un
comando llamado Precharge necesita ser emitido, cerrando la fila
que acaba de ser usada y permitiendo que una nueva esté
disponible. RAS Precharge (tRP) es el tiempo que ocurre entre que
el comando Precharge es emitido y el próximo comando para
activar ("active" command) filas puede serlo. Como ya hemos dicho
el active command comienza un ciclo de lectura o
escritura. 

FIGURA 9. Medición del
tRP

Resumiendo todo lo anterior

 Poniendo todo junto y para ir cerrando la idea
podemos decir que el tiempo transcurrido entre que se emite el
Precharge command (para cerrar la operación anterior y
dejar listo para la siguiente) y finalmente obtener el nuevo dato
pedido es tRP + tRCD + CL. 

Comparando Latencias 

Esta sección es bastante interesante ya que
podremos fácilmente comparar distintos módulos para
saber cual tiene un mayor rendimiento a la hora de
elegir.

Las memorias DDR3 tienen latencias mayores que las DDR2
quienes a su vez mayores que las DDR. Esto igualmente no quiere
decir que sean más lentas, ya que solo seria válido
comparando tecnologías idénticas y a la misma
frecuencia. Acá podemos ver un cuadro con las latencias
típicas de cada tecnología. 

Tabla 2. Latencias
típicas

Cuando comparamos módulos de memoria que trabajan
a la misma frecuencia es simple comparar las latencias, ya que
cuanto más bajas sean mejor. Ahora si estamos comparando
módulos que operan a frecuencias distintas o incluso
pertenecen a tecnologías distintas (DDR2 vs. DDR3) hay que
hacer un poco de matemática para averiguar cual
tendrá mayor rendimiento.

  Si tenemos por ejemplo un módulo DDR2-800
CL 5 sabemos que será más rápido que un
modulo DDR3-800 CL 7. Esto es sencillo porque podemos comparar
directamente las latencias debido al simple hecho que trabajan a
la misma frecuencia (los periodos de las señales van a
durar lo mismo). Hay que mencionar también que un modulo
DDR3 consumiría menos energía que un
DDR2. 

Veamos ahora el caso para frecuencias distintas.
Recordemos que anteriormente vimos que el período de la
señal puede calcularse fácilmente por 1 /
frecuencia. Entonces es evidente deducir que cuanto mayor sea la
frecuencia menor va a ser el periodo. Tomemos nuevamente una
memoria DDR – 800, tenemos que cada ciclo de reloj
(periodo) va a ser de 2,5 nanosegundos (recordar siempre usar el
clock real de la señal 1/400 MHz). Supongamos que esta
memoria tiene CL 5. Entonces tenemos que demorara 12,5
nanosegundos en tener listo el dato. Ahora comparémosla
con otro modulo DDR3-1333 CL 7. Aun teniendo una latencia mayor
podemos ver que demorara 10,5 ns (1,5 x 7), alcanzando así
un rendimiento mayor. 

Vimos como incluso una memoria DDR3 con un valor de
latencia mayor (7 vs. 5) alcanza una mayor performance. Podemos
decir entonces que no podemos fijarnos únicamente por las
latencias sino que también debemos considerar la
frecuencia de trabajo para hacer una comparación
seria. 

Tabla 3 .Comparativo con cada frecuencia
y la duración del período.

figura 10 Lectura de las latencias en los
módulos DDR

Prefetch 

Las memorias dinámicas almacenan datos en una
matriz de pequeños capacitores. Los módulos DDR
transfieren dos bits de datos por ciclo de reloj desde la matriz
hasta el buffer de entrada/salida (I/O). Esto se conoce como
2-bit prefetch. En la tecnología DDR2 este bus fue
duplicado a 4 bits y en DDR3 nuevamente incrementado a 8. Esto le
permite a DDR3 trabajar a frecuencias más elevadas que
DDR2, y esta a mayores que DDR. Cuando generalmente hablamos de
la frecuencia de trabajo nos referimos a la cual el modulo usa
para comunicarse con el exterior (con el controlador de memoria).
Ahora nos estamos metiendo dentro del modulo, como trabaja
internamente que por cierto es un poco diferente en cada
tecnología. Para comprender mejor la idea imaginemos tres
módulos, un DDR-400, un DDR2-400 y un DDR3-400 (no existen
pero imaginemos que si, para entender el concepto). Estas tres
memorias trabajan externamente a 200 MHz transfiriendo dos bits
de datos por ciclo de reloj, haciendo que el clock efectivo sea
de 400 MHz. Internamente la historia es distinta. El
módulo DDR transfiere 2 bits de datos desde la matriz
hasta el buffer de entrada/salida (pequeña porción
de memoria que almacena los datos antes de ser enviados al
procesador o almacenados). Para que todo sea armónico este
bus interno debe trabajar también a 200 MHz (2 bits por
cada ciclo = 400 MHz). Como en DDR2 el bus interno es de 4 bits,
puede trabajar a la mitad de la frecuencia y aun así
alcanzar la misma performance. Entonces puede funcionar a 100 MHz
(4 bits por cada ciclo = 400 MHz). Ocurre lo mismo nuevamente con
DDR3 que tiene un bus de datos interno de 8 bits,
permitiéndole trabajar a 50 MHz (8 bits por cada ciclo =
400 MHz). A continuación se presenta unos diagramas para
poder interpretar mejor lo explicado anteriormente.

figura 11. Velocidad de transferencia
utilizando el mismo clock

Al doblar el bus interno por el cual se transportan los
datos dentro del modulo de memoria cada nueva generación
de DDR puede doblar la máxima frecuencia alcanzada en la
anterior. Tenemos por ejemplo que DDR-400, DDR2-800 y DDR3-1600
internamente trabajan a la misma frecuencia (200 MHz).

Dual Channel o el
Doble Canal

La realidad es que la memoria RAM al ser mucho
más lenta que el microprocesador, evita que el sistema sea
capaz de alcanzar la máxima performance posible. El
procesador al ser notablemente más veloz tiene que
"esperar" que la memoria le entregue datos, y durante este
periodo el procesador se encuentra inactivo (idle – esto no
es estrictamente así pero en los términos de
explicación es válido). En un ordenador perfecto la
memoria debería ser tan rápida como el CPU y todo
funcionaria a la misma velocidad. Como los costos de las memorias
aumentan con su velocidad (por decirlo de alguna manera) es
prácticamente imposible que hoy en día existan
memorias tan rápidas y de grandes capacidades. Para
solucionar esta diferencia de "velocidades" se emplean diferentes
técnicas como por ejemplo el uso de memoria cache en el
microprocesador. Una de estas técnicas es conocida como
dual channel y consiste en doblar el ancho de banda de la
comunicación entre la memoria RAM y el controlador de
memoria, subiendo así la velocidad al doble e
incrementando notablemente el rendimiento. 

Antes de empezar conozcamos un poco como se comunican
los componentes del sistema. La memoria es controlada por un
circuito llamado "memory controller". El mismo puede encontrarse
físicamente en dos lugares: en el chipset (mas
precisamente él en el northbridge o MCH) o actualmente se
encuentra dentro del microprocesador. 

La memoria se conecta con el controlador a través
de lo que se conoce como "bus", que es literalmente una serie de
pistas de cobre a través de las cuales se transporta la
información. Estas pistas se dividen en tres grupos: data
bus, address bus y control bus. El bus de datos es el que
efectivamente transporta los datos desde la memoria al
controlador. El bus de direcciones es el que transporta la
dirección (en qué posición de la matriz que
conforma la memoria) se encuentra el dato a buscar o donde se va
a escribir. Finalmente el bus de control transporta comandos que
implican diferentes acciones (Ej. lectura, escritura, tipo de
operación, etc). Uno de los aspectos más
importantes del bus de control es el llamado "clock signal", que
determina a que frecuencia se van a comunicar ambos dispositivos.
Aquí una figura explicativa basada en un sistema ya
antiguo (nótese la presencia del chipset, ya mostramos que
actualmente la memoria se comunica directamente con el
microprocesador). 

figura 12. Comunicación entre la
memoria y el procesador

El tipo de tecnología aceptada va a depender del
Chipset en caso de que el controlador de memoria se encuentre
allí o del microprocesador (esto determina si el sistema
usara DDR, DDR2 o DDR3). Lo mismo ocurre con la frecuencia de
trabajo (clock signal), quien es generada por el controlador de
memoria. Supongamos por ejemplo que nuestro chipset solo puede
generar una señal de 667 MHz como máximo, entonces
si instaláramos memorias DDR2 – 800
funcionarían a una frecuencia menor en este sistema en
particular. Esta es una limitación física impuesta
por el memory controller. 

Otro caso particular se da cuando se habla de la
máxima memoria que el sistema puede reconocer. La cantidad
que el microprocesador pueda direccionar dependerá del
tamaño de su bus de direcciones (Ej. si es de 32 bits
podrá direccionar hasta 4 GB si es de 36 hasta 16 GB).
Pero como sabemos es el controlador de memoria quien va a acceder
directamente a la misma por lo que nuevamente podemos tener
limitaciones impuestas por el mismo. Por ejemplo Intel Chipsets
p35 y G33 solamente podían acceder a 8 GB de RAM,
limitando así la máxima potencialidad del
microprocesador. 

Como todas las memorias disponibles en la actualidad son
dispositivos de 64 bits el bus de datos es de ese tamaño.
Lo que logra la tecnología dual channel es doblar el bus a
128 bits. 

¿Qué es el dual
channel? 

Es la habilidad de algunos controladores de memoria de
expandir el bus de datos por el cual se comunican con el
módulo de memoria de 64 bits a 128 bits. Asumiendo que
todas las demás variables permanecen iguales (clock rate,
latencias, etc) el volumen teórico de datos transmitidos
por segundo aumenta al doble (ya vimos anteriormente como
calcular este valor

MTTR = (real clock rate)x (data
transferred per cycle) x (bits transferred per cycle) /
8.

Vayamos a un ejemplo: si tenemos dos módulos
DDR2-800 con dual channel activado y calculamos el MTTR tenemos
que 800 MHz x 128 / 8 = 12800 MB/s, o sea el doble que si no
tuviéramos esta tecnología. Nótese que esto
ocurre porque se transmite un volumen doble de datos que antes
(64 bits vs. 128 bits). Es muy importante remarcar que todos
estos valores son teóricos, y que quizás nunca sean
alcanzados. Ahora veamos cómo funciona físicamente
a partir de lo siguiente.

Comencemos por un sistema sin dual channel. Cuando
decimos que el bus de datos es de 64 bits realmente hay 64 pistas
(como si fueran cables) conectando los sockets de memoria con el
controlador. Estas pistas se nombran desde D0 hasta D63. Todo el
bus de datos es compartido por todos los sockets.

figura 13. Comuncación entre el
"Memory Controller" y los módulos sin "Dual
channel"

Ahora en sistemas que soportan dual channel, el bus de
datos se expande a 128 bits. Esto quiere decir que ahora hay 128
cables (pistas de cobre) conectando el controlador con los
sockets de RAM. Se denominan desde D0 hasta D127. Como cada
módulo solamente acepta 64 bits por ciclo de reloj, se
utilizan ambos módulos juntos para cubrir el bus completo
de 128 bits. Entonces tenemos que para tener dual channel debemos
tener un controlador de memoria que soporte esta
característica e instalar una cantidad par de
módulos de memoria. Todos podrán ser accedidos al
mismo tiempo, debido a esto ambos módulos deben ser
totalmente idénticos (misma capacidad, misma latencias y
misma frecuencia).

figura 14. Comunicación entre el
Memory Controller y los módulos con Dual
Channel

DDR vs. GDDR

A veces se piensa que GDDR es lo mismo que DDR o que
tienen que ser compatibles las memoria RAM de la PC con las de la
placa de video, todo esto es erróneo y confuso
.

La memoria RAM también es utilizada en las
tarjetas de video para conformar el circuito de memoria. Antes se
utilizaba exactamente la misma tecnología que en las
memorias RAM para la PC. Con el correr del tiempo las tarjetas de
video de gama alta comenzaron a necesitar chips de memoria
más rápidos entonces los fabricantes decidieron
comenzar a implementar DDR2 y DDR3. 

Estas memorias utilizadas en las placas de video tienen
algunas características distintas a las usadas en las PCS.
Esta es la razón por la cual para diferenciarlas se
anteponía la letra "G" que significa "graphics"
(GDDR). 

La principal diferencia es el voltaje al cual trabajan y
también suelen funcionar a frecuencias bastante mayores.
Debido a esto puede llegar a levantar mayores
temperaturas.

  Actualmente las últimas placas de video de
alta gama utilizan GDDR5. Algunas placas de video de baja gama si
utilizan chips de memoria DDR2 comunes, idénticos a los de
la PC.  Cabe aclarar que la memoria RAM de video es
utilizada internamente por la misma placa, por lo que no tiene
nada que ver con la memoria RAM del sistema. Es por eso que
pueden ser totalmente distintas. El sistema puede utilizar
memorias RAM DDR2 mientras la tarjeta de video utiliza GDDR5 son
totalmente independientes. 

Autor:

Edgardo Faletti

[1] Synchronous Dynamic Random Access Memory:
Memoria de Acceso Aleatorio Sincrónica

[2] High End: definición a un aparato
de calidad superior.

[3] Gamer: destinado al juego

[4] BIOS:(Basic Input-Output System) es un
sistema básico de entrada/salida que normalmente pasa
inadvertido para el usuario final de computadoras. Se encarga
de encontrar el sistema operativo y cargarlo en
memoria RAM. Posee un componente de hardware y otro de
software, este último brinda una interfase generalmente
de texto que permite configurar varias opciones del hardware
instalado en la PC, como por ejemplo el reloj, o desde
qué dispositivos de almacenamiento iniciará el
sistema operativo.