BANCO DE PREGUNTAS 1. LA MINIATURIZACIÓN ESTÁ DADA POR TRES FACTORES: a. calidad de material b. técnicas de diseño c. limites de fabricación 2. SEMICONDUCTORES MÁS UTILIZADOS: a. Silicio b. Germanio c. Arseniuro Galio 3. ESCRIBA UNA CARACTERÍSTICA DEL GaAs
Estable ante los cambios de temperatura. 4. ¿QUÉ SIGNIFICA MATERIAL INTRÍNSECO?
Cualquier material semiconductor que es sometido a un proceso de purificación o refinamiento. 5. EL ENLACE DEL MATERIAL EXTRÍNSECO TIPO N ESTÁ FORMADO POR: d. BORO, GALIO, INDIO e. MATERIALES PENTAVALENTES f. MATERIAL CASI PURO 6. AL MATERIAL EXTRÍNSECO TIPO P SE LE LLAMA DONADOR O ACEPTOR Y POR QUÉ?
Aceptor, porque …ver más…

REALIZAR LOS SIGUIENTES EJERCICIOS: 31. El voltaje que satura al transistor es de ______29,42V______ si posee un factor de amplificación en configuración de emisor común de 220. Vcc=RcIc+Vce
14=62Ic+0
Ic=0,226 A β=IcIb Ib=0,226220=1,026mA

Vee=RbIb+Vbe=1,026mAx28K+0,7V=29,42V 32. Calcular las resistencias, si el transistor se satura con 42 mA y β=180 Vcc=RcIc+Vce
18=42mAx Rc+0
Rc=0,42k
β=IcIb
Ib=42mA180=0,23mA

Vee=RbIb+Vbe
7V=0,23mAxRb+0,7V
Rb=27,392k

33. ¿QUÉ ES EL EFECTO DE CAMPO?
Se llama así a la inducción de campo magnético para accionar un interruptor sin acción mecánica ni contactos que sufran deterioro. 34. ESCRIBA LA CLASIFICACIÓN DE LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO o. JFET p. MOSFET q. MESFET 35. EL TRANSISTOR BJT ES: r. Un controlador de resistencias por corriente. s. Dispositivo bipolar. t. Elemento controlado por la corriente de la base u. Todos los anteriores v. Ninguno de los anteriores 36. El transistor BJT tiene: w. Dos fases de trabajo. x. Región de saturación donde trabaja como interruptor cerrado. y. Región de corte donde actúa como amplificador sin distorsión.
VERDADERO O FALSO: 37. Para el transistor BJT IE=IB+IC. (____V__) 38. El transistor en configuración de emisor común, la base está conectada a