Informe Sensor De Luz

1313 palabras 6 páginas
El transistor Transistor BJT (NPN)

Daniel David Dallos Bedoya
Nelson Fernando Fernandez Majé

Diego Gerardo Gómez Orozco

Universidad del Cauca
Facultad de Ingeniería Electrónica y Telecomunicaciones
Programa de Ingeniería en Automática Industrial
Taller de Electricidad y Electrónica Grupo “B”
Popayán, Cauca
INTRODUCCION
En la siguiente practica analizaremos un circuito, en el que podremos realizar un control de diodos led por medio de un componente llamado fotorresistencia, el cual tiene como función el detectar luminosidad del medio, y de esta forma abrir o cerrar el circuito por medio de su resistencia que varia dependiendo de la cantidad de luz. Este circuito es muy apreciable y utilizado en muchas aplicaciones y en
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El constituido por GaAsP consiste en una capa p obtenida por difusión de Zn durante el crecimiento de un cristal n de GaAsP, formado en un substrato de GaAs, por el método de crecimiento epitaxial en fase gaseosa.
Actualmente se emplea los Led de GaAlAs debido a su mayor luminosidad.
El máximo de radiación se halla en la longitud de onda 660 nm. * Led anaranjado y amarillo Están compuestos por GaAsP al igual que sus hermanos los rojos pero en este caso para conseguir luz anaranjada y amarilla así como luz de longitud de onda más pequeña, lo que hacemos es ampliar el ancho de la “banda prohibida” mediante el aumento de fósforo en el semiconductor.
Su fabricación es la misma que se utiliza para los diodos rojos, por crecimiento epitaxial del cristal en fase gaseosa, la formación de la unión p-n se realiza por difusión de Zn.
Como novedad importante en estos Leds se mezcla el área emisora con una trampa isoelectrónica de nitrógeno con el fin de mejorar el rendimiento * Led Verde El Led verde está compuesto por GaP. Se utiliza el método de crecimiento epitaxial del cristal en fase líquida para formar la unión p-n.
Al igual que los Leds amarillos, también se utiliza una trampa isoelectrónica de nitrógeno para mejorar el rendimiento. Debido a que este tipo de Led posee una baja probabilidad de transición fotónica, es importante mejorar la cristalinidad de la capa n. La disminución de impurezas a larga la vida de los portadores,

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