Informe, transistores efecto campo

1674 palabras 7 páginas
TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO CARACTERIZACIÓN

Abstract-- Practice involves the characterization of FET transistors as these have an enormous variation in the basic parameters, for this set up circuits that can be observed and then comparing the results with the data sheet for each device.

PALABRAS CLAVE: Trasconductancia, Vp, Kn, caracterización, jfet, fet, mosfet,, circuito integrado.

INTRODUCCIÓN

Hay dos tipos de dispositivo semiconductor de tres terminales principales: el transistor de efecto de campo, y el BJT (transistor de unión bipolar), dentro de los FET se encuentra el MOSFET que se ha vuelto por mucho, el dispositivo electrónico de más uso, sobre todo en el diseño de circuitos integrados (CI), que son
…ver más…
El voltímetro digital medirá ahora para cada MOSFET que se ensaye (Canal N) los voltajes de alimentación VDD y el voltaje sobre el D correspondiente, como se indica allí. Obsérvese que el voltaje de D es el mismo voltaje VDS y la conexión de la compuerta con el D, garantiza la operación en saturación. Entonces se debe cumplir que:

ID = Kn (VGS Vt)2 (3)

Como Vp se conoce de la anterior medida, el cálculo de Kn es directo. Esto se hará para los tres dispositivos de canal N. Calculen para todos los MOSFET canal N los valores de Kn y de Vt.

RESULTADOS

3.1 EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE UNIÓN JFET

Se utiliza una resistencia RD = 997 Ω
VDD = 20V

A. JFET K168E Q1:

Tabla 2. Caracterización Jfet K168E Q1

La máxima anchura del canal se presenta cuando VGS es cero, por lo tanto se tiene:

IDSS= 20-10.08997 IDSS= 9.95mA

El voltaje de obturación Vp se alcanza cuando se llega a VD = VDD, por lo tanto:

Vp= -1.6V

El coeficiente de transconductancia kn

Kn= 9.95mA(-1.6V)2 Kn= 3.9mAV2

Grafica 1. Curva característica de transferencia K168E Q1

B. JFET K168E Q2:

Tabla 3. Caracterización Jfet K168E Q2

La máxima anchura del canal se presenta cuando VGS es cero, por lo tanto se tiene:

IDSS= 20-13.50997 IDSS= 6.52mA

El voltaje de obturación Vp se alcanza cuando se llega a VD = VDD, por lo tanto:

Vp= -2.20V

El

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