Operacion del circuito basico del transistor como conmutador

627 palabras 3 páginas
A) Operación del circuito básico del transistor como conmutador.
*Región de saturación:
En un montaje con emisor común, si se ingresa una corriente con base IB en el colector se obtiene una corriente IC=IB*hFE la ganancia del transistor. Sin en el circuito de colector, están presentas una tensión de alimentación VB y una resistencia de carga Rc, la máxima corriente que podrá circular por él será de VB/Rc=IC sat.

*Región de corte:
En esta región las uniones de emisor y colector están polarizadas en inversa; la VBE y la VBC tienen tensión inferior a 100mV.
Estas corrientes son extremadamente bajas y pueden ser despreciadas; a efectos prácticos se puede considerar al transistor como si no existiese.

*Usos:
1.- (Ejemplo): Para la
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Básicamente podemos considerarlos como un conjunto de componentes (pasivos y/o activos) que se incorporan al circuito de potencia para reducir en el dispositivo semiconductor el estrés eléctrico durante las conmutaciones y asegurar un régimen de trabajo seguro. Los supresores son frecuentemente usados en sistemas eléctricos con cargas inductivas donde la interrupción repentina de flujos de corriente lleva a un aumento pronunciado de voltaje a través del dispositivo conmutador de la corriente, de acuerdo con la ley de Faraday. Este aumento de voltaje, aparte de constituir una fuente de interferencia electromagnética en otros circuitos, puede ser destructiva para el dispositivo conmutador si el voltaje generado sobrepasa el voltaje máximo para el cual se diseñó. El circuito supresor provee una ruta alternativa de descarga que le permite al elemento inductivo descargarse de manera controlada. Los supresores también se utilizan para prevenir la formación de arcos a través de los contactos de relés o interruptores y la interferencia o soldado de contactos que puede ocurrir.
*Conmutación con transistor defecto de campo (FET):
El transistor de efecto de campo se emplea en conmutación formando parte de los circuitos integrados, gracias a que ocupa una minúscula superficie de silicio y a la insignificante potencia que consume en conmutación. Estos factores combinados permiten integrar hasta miles de estos transistores en una

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