Parametros de estabilidad en transistores

2064 palabras 9 páginas
PARÁMETROS S DE ESTABILIDAD EN LA POLARIZACIÓN EN TRANSISTORES BJT´S

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Palabras Claves — Transistores BJT´s (BJT´s Transistors), Parámetros “s” de estabilidad (Stability “s” parameters), Polarización en transistores (Transistors polarization), Sensibilidad de la corriente de colector (Colector´s current Sensibility).
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| T(°C) ICO(nA) ß VBE(V) | -65 0.2x10ˉ³ 20 0.85 25 0.1 50 0.65100 20 80 0.48175 3.3x10ˉ³ 120 0.3 |

TABLA 2. Resumen de las relaciones entra la corriente y el voltaje de un BJT en el modo activo. | iC= ISeVBE/VTiB=icβ=IsβeVBE/VT iE=icα=IsαeVBEVT iC = αiE iB = (1-α)iE= iEβ+1iC =βiB iE= (β+1)iB β=α1-α α=ββ+1VT = voltaje térmico = kTq ≅ 25mV a temperatura ambiente |

De acuerdo con la anterior tabla, las corrientes que pertenecen a un circuito que posee un transistor, son altamente sensibles a pequeños cambios en la temperatura pues la relación que tienen la misma posee una componente exponencial haciendo más crítico el hecho de una variación.

Parámetros aplicados a las diferentes configuraciones
Existen tres factores de estabilidad aplicados a la temperatura. El primero considerando la corriente de saturación inversa
S(Ico)= ∆Ic∆Ico
El segundo teniendo en cuenta el voltaje base - emisor
S(VBE)=∆Ic∆VBE
Y por último el más afectado por la variación de la temperatura: el β.
S(β)=∆Ic∆β

Dependiendo de la configuración a analizar, el cambio en la corriente del colector produce una variación que define el grado de estabilidad

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