Tecnologia Planar

1165 palabras 5 páginas
2.3. - TECNOLOGÍA PLANAR
INTRODUCCIÓN
Los circuitos integrados están formados de pequeños chips de silicio los cuales tienen dispositivos como transistores, FET’s, resistencias, y capacitores implantados dentro de ellos. Un simple chip de silicio puede contener pocos dispositivos o miles de ellos. Largos y complejos circuitos pueden ser reducidos a medidas pequeñas por la tecnología de circuitos integrados. Las técnicas han progresado al punto donde toda una computadora puede ser construida en muchos chips. Mucha de la electrónica para dispositivos como amplificadores de audio y sets de televisión pueden ser fabricados en un simple chip o en unos pocos de ellos. Circuitos más pequeños y complejos son solo dos de las ventajas de los
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Sin embargo, esta penetración fue siempre difícil de controlar. La búsqueda de un método que diera mayor control a la ubicación de las uniones pn condujo al desarrollo de las uniones de difusión. Las uniones de difusión son formadas en una manera similar al proceso de aleación en que la superficie de la oblea es expuesta a una fuente de alta concentración de impurezas con un tipo de carga diferente, por instancia, este es un gas. Las impurezas penetran en el cristal semiconductor mediante una difusión de estado sólido el cual puede ser controlado en un grado de precisión muy alta. Con el descubrimiento adicional de que una delgada capa de dióxido de silicio puede enmascarar efectivamente en contra de la difusión de los aceptores más importantes y donador de impurezas, un nuevo grado de precisión fue adicionado en el control de la geometría de las uniones de difusión en los dispositivos semiconductores. La geometría del dispositivo ahora podía ser delineada mediante el «forrado” del semiconductor con dióxido de silicio, y después expuesto el semiconductor a las impurezas de difusión solo en las áreas selectas, esto definido como fotolitografía. La tecnología planar (e), combina las ventajas de la formación de unión por difusión de estado sólido y la propiedad de enmascaramiento de dióxido de silicio para la definición precisa de la geometría del dispositivo.

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