Mosfet

2303 palavras 10 páginas
6.3 MOSFET
Há dois tipos de FETs: JFETs e MOSFETs. Os MOSFETs subdividem-se em tipo depleção e tipo intensificação. Os termos depleção e intensificação definem os seus modos básicos de operação, enquanto que a expressão MOSFE 's representa o transistor de efeito de campo metal óxido semicondutor (do inglês, metal-oxide-semiconductor:lield-effecttransistor).

6.3.1 MOSFET DEPLEÇÃO
Construção Básica

A construção básica do MOSFET tipo depleção de canal n é mostrada na Fig.6.3.1 Uma camada grossa de material tipo p é formada a partir de uma base de silício, e é chamada de substrato. Ela representa o alicerce sobre o qual o dispositivo será construído. Em alguns casos, o substrato está internamente conectado ao terminal de fonte.
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Como revelado acima, a aplicação de uma tensão positiva porta-fonte "intensificou" o número de portadores livres no canal, comparado ao estabelecido quando VGs = O V. Por isso. a região de tensões positivas de porta, nas curvas de dreno ou de transferência. é normalmente chamada região de intensificação, e a região entre os níveis de corte e saturação é denominada região de depleção.
É particularmente interessante e útil que a equação de Shocldey seja aplicável às características do MOSFET tipo depleção, nas regiões de depIeção e intensificação. Para ambas as regiões, deve-se apenas tomar cuidado com o sinal de V GS e atenção nas operações matemáticas.
EXEMPL0
Esboce a curva de transferência para um MOSFET tipo depleção de canal n com lDSS = 10 mA e Vp = -4 V.
[pic]

Que pode ser visto na Fig. 6.3.5.
[pic]
Antes de traçar a região para valores positivos de VGS, observe que ID aumenta muito rapidamente para valores positivos crescentes de VGS. Portanto, escolha valores razoáveis para se substituir na equação de Shocldey. Neste caso, tentaremos + 1 V:
[pic]

Que é suficientemente alto para completar o gráfico.
Símbolos, Folhas de Especificações e Encapsulamento
[pic]

6.3.2 MOSFET TIPO INTENSIFICAÇÃO
Embora existam algumas semelhanças na construção e no modo de operação entre o MOSFET tipo depleção e tipo intensificação, as

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