FET - TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO
Os transistores de Efeito de Campo, JFET e MOSFET's, tem como características básicas e controle de uma corrente por um campo elétrico aplicado. A corrente flui entre os terminais chamados Suplidouro - S, e Dreno - D, e o campo devido a uma tensão aplicada entre um terminal de controle, a porta "Gate" - G, e o suplidouro. Este compartimento é análogo a das válvulas eletrônicas pentodo.
O primeiro FET desenvolvido foi o de junção, FET (Junction Field Efect Transistor). Há dois tipos: Canal N e Canal P.
Sua estrutura consiste numa barra de material semicondutor N (ou P), envolvida no centro com material P (ou N), a região N (ou P) esta parte, estreita, é chamado canal, por influir a corrente controlada.

Estrutura do JFET canal N Obs.: No FET de canal P invertem-se camadas semicondutoras N e P

Símbolos Note que em torno de um canal forma-se uma região de potencial na junção PN. Esta barreira restringe a área de condução de canal ao outro.
FUNCIONAMENTO

Na figura acima temos o circuito de teste JFET com uma fonte variável Ves, que controla a corrente do canal ID. Note que Ves, é na polarização reversa (- no gate P).
Inicialmente fazemos Ves = 0. O canal N está normalmente aberto, pois a barreira de potência é mínima, assim, circula uma corrente máxima chamada IDSS, característica do JFET para Vds.