Energía de enlace de una impureza hidrogenoide en un pozo cuántico

Enviado por Victor Manuel Bohórquez Guevara

Resúmen

ABSTRACT

In this work, the binding energy of hydrogenic impurity in a
GaAs/InxGa1-xAs quantum well is calculated as a function of the
well width and the impurity position inside the quantum well. The
calculations are performed within the effectivemass approximation
and using a variational method for different In concentrations
(0<x<0.4) in GaAs. We have kept in mind that the
confinement potential is modified by the strain due to the
differences of the lattice constants between GaAs and the
InxGa1-xAs, which is included in the confinement potential as
Atanasov suggested, Phys. Rev. B 50,14381 (1994). We have found a
very good agreement with experimental results by Reynolds, Phys.
Rev. B 43, 11156 (1992).

RESUMEN

En este trabajo, se calculo la energía de enlace de una
impureza hidrogenoide en un pozo cuántico de
GaAs/InxGa1-xAs como función del ancho del pozo y la
posición de la impureza dentro del pozo cuántico.
Los cálculos se realizaron teniendo en cuenta la
aproximación de la masa efectiva y un m´etodo
variacional para diferentes concentraciones de In (0<x<0.4)
en GaAs/InxGa1-xAs. Se tuvo en cuenta que el confinamiento es
modificado por las tensiones ocasionadas debido a la diferencia
en la constante de red entre el el GaAs y el InxGa1-xAs, por lo
que se incluyó el potencial de confinamiento sugerido por
Atanasov, Phys. Rev. B 50,14381 (1994). Se encontró que
los resultados concuerdan con las medidas experimentales hechas
por Reynolds, Phys. Rev. B 43, 11156 (1992).

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Enviado por Victor Manuel Bohórquez Guevara