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Prácticas de electrónica analógica (Transistor bipolar, Diodos, IRF150)




Enviado por Pablo Turmero



  1. Diodos
  2. El
    transistor bipolar en conmutación
  3. Característica IRF
    150

Práctica 1.

Diodos

1.- Deducir, con el multímetro digital, el
ánodo y el cátodo del diodo 1N4148. Comentar el
procedimiento.

2.- Para el diodo 1N4148, anotar el valor de los
siguientes parámetros proporcionados en las hojas
características del fabricante.

IFmax

Ptotmáx

VRmax

Comentar el significado de cada uno de estos
parámetros.

3.- ¿ Se estropearía el diodo de la Fig. 1
si cambiamos la polaridad de la fuente de tensión "V"
?.

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Fig. 1

4.- En el circuito de la Fig. 1, dar a la resistencia
"R" un valor adecuado (resistencia y
potencia), para que la corriente que recorra el circuito
sea aproximadamente la mitad de la corriente máxima que
puede soportar el 1N4148 sin que éste se
estropee.

5.- A partir de la curva característica
I-V proporcionada para el 1N4148, deducir que le ocurre a
la corriente directa "IF" cuando varía la
temperatura.

6.- Variando el valor del voltaje de la fuente
"V" del circuito de la Fig. 1, rellenar la tabla de la
Fig. 2. Téngase en cuenta lo observado en el apartado
anterior (al pasar una corriente elevada por el 1N4148
éste se calienta).

VF (V)

0.4

0.5

0.6

0.7

0.75

0.8

0.85

0.9

IF(mA)

Fig. 2.

7.- Con los datos de la tabla anterior, representar de
forma aproximada, la característica I-V del
1N4148.

8.- Dado el circuito de la Fig. 3, trazar la recta de
carga sobre la característica I-V proporcionada por
el fabricante (a 25º C), y determinar el punto de
trabajo.

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Fig. 3

9) Los circuitos de la Fig. 4 corresponden a dos puertas
lógicas con diodos:

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Fig. 4.

Para cada una de ellas rellenar la tabla de la Fig.
5.

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Fig. 5.

Transformar los valores altos de tensión de las
tablas de la fig. 5 en "1" lógico y los valores
bajos en un cero "0" lógico, y rellenar las
correspondientes tablas de la fig. Fig. 6.

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Fig. 6.

Indicar que tipo de puertas es cada uno de los circuitos
y dibujar su símbolo lógico.

10 .- Dados los circuitos recortadores de la Fig.
7.

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Fig: 7.

Para cada uno de ellos se pide:

A) Trazar manualmente la curva
característica de transferencia del circuito Vo =
f(Vi)
suponiendo que el diodo es ideal.

B) Trazar manualmente la forma de onda en la
salida del circuito Vo= f(t) suponiendo que el diodo es
ideal.

C) Trazar, con ayuda del Osciloscopio en modo XY,
la curva característica de transferencia del circuito
Vo = f(Vi) .

D) Trazar, con ayuda del Osciloscopio, la forma de onda
en la salida del circuito Vo = f(t).

Nota: Situar las líneas de cero voltios en el
centro de la pantalla del osciloscopio.

Práctica 2.-

El transistor
bipolar en conmutación

Se dice que un transistor funciona en conmutación
cuando este trabaja en corte y saturación. Un transistor
trabajando en conmutación se comporta como un
interruptor.

Funcionamiento:

  • Para asegurar que el transistor se encuentra en
    corte, la corriente de base ha de ser nula.

  • En conmutación las corrientes de colector y
    de base han de ser (para el circuito de la figura
    1):

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Procedimiento:

Apartado 1.- El circuito de la figura 1
está activado por un contacto "I" .

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Figura 1.

a) Determinar el valor de RB que asegure que el
transistor se encuentre en saturación.

b) Rellenar la tabla siguiente.

Contacto I

IC

VCE

Estado del transistor

Abierto

Cerrado

Apartado 2.-

a) Diseñar el circuito de la figura 2 para que
trabaje en conmutación, sabiendo que la fuente de
señal de entrada "Vi produce una forma de onda como la de
la figura 3.

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Figura 2.

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Figura 3

b) Trazar sobre unos mismos ejes coordenados las formas
de ondas sincronizadas "Vi" y "V0" e indicar de que circuito se
trata.

c) Aumentar la frecuencia hasta 100 K Hz y medir los
tiempos de subida (tr) y de bajada (tf).

d) Medir los tiempos de conexión (ton) y de
desconexión (toff).

e) Sustituir la pila de entrada Vi, por una fuente de CC
variable, para poder calcular el HFemin del
transistor.

Apartado 3.

  • a) Tomando como base el circuito de la fig. 2,
    montar el circuito de la fig. 4.

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Figura 4.

b) Rellenar la tabla de la figura siguiente e indicar
que función lógica realiza el circuito.

A

B

C

0 V.

0 V.

0 V.

5 V.

5 V.

0 V

5 V.

5 V.

Puedes usar cualquier otro transistor.

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PRACTICA 3:

Característica IRF
150

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CARACTERÍSTICA 9140

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ESTUDIO DE LOS TRANSISTORES DE EFECTO
CAMPO

1.- Dada las característica de los
M.O.S IRF-150 y IRF- 9140 , obtener dichas característica
con el programa SPICE.

2.- Con estas características obtener el valor de
VT (tensión umbral),. Escoger varios puntos de
funcionamientos de las característica ID = f(VDS,VGS ) en
la zona de saturación y obtener el valor de k para
diferentes puntos. Sabiendo que en la zona activa cumple la
siguiente ecuación ID = k·(VGS – VT)2.( para
ambos MOS).

3.- Describir la diferencia que existe entre ambos MOS,
indicando el tipo de canal.

4.- En el circuito fuente común de la figura,
escoger en las característica ID = f(VDS,VGS), un punto de
funcionamiento. ¿Qué valores tenemos que darle a
las fuentes de tensión V1 y V2 y resistencia de drenador
R1 para que cumpla las condiciones de Q(punto de funcionamiento
del transistor)?. (Comprobarlo en el SPICE)

5.- ¿Si cambiamos de lugar la
resistencia R1, y la colocamos en el sumidero, permaneciendo fijo
la fuente V1 y el mismo punto de funcionamiento.
¿Qué valores de V2 tendremos que darle? (
Comprobarlo en el SPICE)

6.- Representar gráficamente salida
entrada los dos circuitos siguientes en el SPICE . Y comentar que
función realiza.

 

 

Autor:

Pablo Turmero

 

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